在人工智能计算规模持续扩张的今天，AI服务器供电系统的在线维护与高可用性面临严峻挑战。作为保障电源总线稳定与安全的关键环节，12V系统热插拔控制的高效、精准与可靠执行，直接关系到整个集群的连续运营与设备安全。为此，我们隆重推出专为AI服务器12V系统热插拔控制电路优化的功率MOSFET解决方案——MOS-VBGQA1400，以卓越性能守护数据中心电力命脉。
极致导通，赋能无缝切换
AI服务器要求供电零中断，热插拔控制器的导通损耗直接影响系统能效与稳定性。MOS-VBGQA1400凭借其超低的0.8mΩ（@Vgs=10V）导通电阻（RDS(on)），在关键的功率路径控制中，能显著降低插入损耗与稳态压降，确保电能高效、无损地输送至计算单元。这直接转化为更低的插拔温升、更高的系统能效与更优的模块更换体验。
高电流密度，应对严苛负载
现代服务器支持高功率计算卡与硬盘背板，热插拔通道需承载巨大电流。MOS-VBGQA1400采用先进的DFN8(5x6)封装，在提供强大功率处理能力的同时，实现了极其紧凑的占板面积。其单N沟道配置与优化的封装热性能，让电源设计师能够在有限空间内布局更高电流、更可靠的保护开关，轻松应对下一代高密度AI服务器的热插拔严苛要求。
强劲稳健，保障安全操作
面对热插拔过程中的浪涌冲击与复杂工况，MOS-VBGQA1400展现了全方位的稳健性：
40V的漏源电压（VDS） 与 ±20V的栅源电压（VGS），为12V总线应用提供了充裕的安全裕量，确保在插拔电弧及异常浪涌下稳定工作。
2.5V的标准阈值电压（Vth），兼顾了驱动的便利性与抗干扰能力，便于与控制器精准协同。
高达250A的连续漏极电流（ID） 承载能力，足以驾驭AI服务器模块插入瞬间及峰值负载的严酷考验，提供坚固的电气通路。
先进技术，铸就卓越性能
内核采用创新的 SGT（Shielded Gate Trench）技术。该技术通过独特的槽栅与屏蔽结构，在实现超低导通电阻和栅极电荷（Qg）之间取得了最佳平衡。这不仅降低了开关损耗，提升了热插拔动作的响应速度与控制精度，也减轻了驱动电路的负担，确保系统在频繁插拔操作中保持长久可靠。
MOS-VBGQA1400 关键参数速览
封装： DFN8 (5mm x 6mm)
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 40V
栅源电压（VGS）： ±20V
阈值电压（Vth）： 2.5V
导通电阻（RDS(on)）： 0.8 mΩ @ Vgs=10V
连续漏极电流（ID）： 250A
核心技术： SGT
选择MOS-VBGQA1400，不仅是选择了一颗高性能的功率MOSFET，更是为您的AI服务器热插拔控制系统选择了：
更低的通路损耗，提升能源效率。
更紧凑的保护设计，优化空间布局。
更可靠的插拔保障，确保系统连续运行。
面向未来的技术平台，领先一步。
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