在人工智能计算爆发式增长的今天，AI服务器的算力密度与能耗挑战日益严峻。作为服务器动力的源头，12V主电源总线的高效、稳定与可靠转换，直接关系到整个系统的性能发挥与运营成本。为此，我们隆重推出专为AI服务器12V系统AC-DC转换电路优化的功率MOSFET解决方案——MOS-VBGQA1400，以卓越性能助力数据中心能效跃升新台阶。
极致效率，赋能绿色算力
AI服务器集群的能耗巨大，电源转换效率每提升0.1%，都意味着可观的电力节约与碳减排。MOS-VBGQA1400凭借其超低的0.8mΩ（@Vgs=10V）导通电阻（RDS(on)），在关键的一次侧同步整流或DC-DC转换阶段，能显著降低导通损耗，将更多电能高效输送至GPU、CPU等计算核心。这直接转化为更低的系统发热、更高的整体能效与更优的总拥有成本（TCO）。
高功率密度，应对紧凑设计
现代服务器电源向着更高功率密度飞速演进。MOS-VBGQA1400采用先进的DFN8(5x6)封装，在提供强大功率处理能力的同时，实现了极其紧凑的占板面积。其单N沟道配置与优化的封装热性能，让电源设计师能够在有限空间内布局更大电流、更高效率的功率级，轻松应对下一代高密度AI服务器的严苛要求。
强劲稳健，保障可靠运行
面对服务器电源的复杂工况，MOS-VBGQA1400展现了全方位的稳健性：
40V的漏源电压（VDS）与±20V的栅源电压（VGS），为12V总线应用提供了充裕的安全裕量，确保在浪涌等异常情况下稳定工作。
2.5V的标准阈值电压（Vth），兼顾了驱动的便利性与抗干扰能力。
高达250A的连续漏极电流（ID）承载能力，足以驾驭AI服务器电源启动及峰值负载的严酷考验。
先进技术，铸就卓越性能
内核采用创新的SGT（Shielded Gate Trench）技术。该技术通过独特的槽栅与屏蔽结构，在实现超低导通电阻和栅极电荷（Qg）之间取得了最佳平衡。这不仅降低了开关损耗，提升了高频工作下的效率，也减轻了驱动电路的负担，使得系统可以在更高开关频率下运行，进一步缩小磁性元件的体积。
MOS-VBGQA1400 关键参数速览
封装： DFN8 (5mm x 6mm)
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 40V
栅源电压（VGS）： ±20V
阈值电压（Vth）： 2.5V
导通电阻（RDS(on)）： 0.8 mΩ @ Vgs=10V
连续漏极电流（ID）： 250A
核心技术： SGT
选择MOS-VBGQA1400，不仅是选择了一颗高性能的功率MOSFET，更是为您的AI服务器电源系统选择了：
更高的能源效率，降低运营成本。
更紧凑的电源设计，释放算力空间。
更可靠的系统保障，确保持续服务。
面向未来的技术平台，领先一步。
以尖端功率器件，为人工智能的澎湃算力，奠定最高效、最坚实的能源基石。MOS-VBGQA1400，为您的下一代AI服务器设计注入强大动能！