在人工智能计算规模持续扩张的今天，数据中心的供电架构正面临高压、高效与高功率密度的多重挑战。作为电能分配与转换的关键节点，DC-DC转换器的性能直接决定了整个供电链路的能效与可靠性。为此，我们隆重推出专为AI数据中心高压DC-DC转换电路优化的功率器件解决方案——SiC MOS VBP165C40-4L，以碳化硅的卓越性能，助力数据中心能源基础设施迈向新纪元。
极致效率，赋能绿色计算
数据中心能耗巨大，每一次电压转换的效率提升都意味着显著的电力节约。VBP165C40-4L凭借其优异的50mΩ（@Vgs=18V）导通电阻（RDS(on)），在高压DC-DC转换环节，能显著降低导通损耗，将更多电能高效输送至后续负载。这直接转化为更低的系统热耗、更高的整体能效与更优的运营成本。
高功率密度，应对严苛空间
现代数据中心供电单元追求极致的功率密度。VBP165C40-4L采用经典的TO247-4L封装，在提供强大高压功率处理能力的同时，兼顾了优异的散热与安装便利性。其单N沟道配置与碳化硅材料固有的高温工作特性，让电源设计师能够在紧凑空间内构建更高效率、更高可靠性的高压转换级，从容应对高密度AI计算集群的供电需求。
强劲稳健，保障可靠运行
面对数据中心供电的严苛要求，VBP165C40-4L展现了全方位的稳健性：
650V的漏源电压（VDS）为高压母线应用提供了充足的安全裕量，确保在复杂工况下稳定工作。
-10V / +20V的栅源电压（VGS）范围，提供了灵活的驱动兼容性与可靠性。
2~5V的阈值电压（Vth），确保了良好的驱动与抗干扰平衡。
高达40A的连续漏极电流（ID）承载能力，足以满足高压侧严酷的电流考验。
先进技术，铸就卓越性能
内核采用先进的碳化硅（SiC）技术。该材料技术凭借其宽禁带特性，实现了更低的导通损耗、更高的开关速度与优异的高温工作能力。这不仅显著提升了转换效率，降低了开关损耗，也使得系统可以在更高频率下运行，从而大幅减小无源元件的体积与重量。
VBP165C40-4L 关键参数速览
封装： TO247-4L
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 650V
栅源电压（VGS）： -10V / +20V
阈值电压（Vth）： 2~5V
导通电阻（RDS(on)）： 50 mΩ @ Vgs=18V
连续漏极电流（ID）： 40A
核心技术： SiC
选择VBP165C40-4L，不仅是选择了一颗高性能的SiC MOSFET，更是为您的AI数据中心供电系统选择了：
更高的能源转换效率，降低PUE指标。
更紧凑的高压功率设计，优化空间利用。
更可靠的长期运行保障，确保持续在线。
面向未来的碳化硅技术平台，领先一步。
以尖端碳化硅功率器件，为人工智能数据中心的澎湃算力，构建高效、坚固的高压能源转换基石。VBP165C40-4L，为您的下一代AI数据中心供电设计注入强大动能！