在人工智能计算爆发式增长的今天，AI数据中心的功率密度与能耗挑战日益严峻。作为高压电源系统的关键环节，800V PFC级的高效、稳定与可靠转换，直接关系到整个供电链路的性能与能源成本。为此，我们隆重推出专为AI数据中心800V高压电源PFC级优化的SiC MOSFET解决方案——VBP165C40-4L，以卓越性能助力超大规模数据中心能效跃升新台阶。
极致效率，赋能绿色高压架构
AI数据中心功耗巨大，PFC级转换效率至关重要。VBP165C40-4L凭借其优异的50mΩ（@Vgs=18V）导通电阻（RDS(on)），在高压PFC关键功率级，能显著降低导通损耗，提升电能质量与利用效率。这直接转化为更低的系统损耗、更高的整机能效与更优的运营支出。
高压平台，应对前沿设计趋势
现代数据中心电源正向800V及以上高压母线架构演进。VBP165C40-4L采用经典的TO247-4L封装，在提供强大高压功率处理能力的同时，兼顾了优异的散热与驱动性能。其单N沟道配置与开尔文源极设计，让电源设计师能够构建更高效率、更高功率密度的高压PFC电路，从容应对下一代AI数据中心的严苛需求。
强劲稳健，保障高压可靠运行
面对高压PFC级的复杂工况，VBP165C40-4L展现了全方位的稳健性：
650V的漏源电压（VDS） 与 -10 / +20V的栅源电压（VGS），为800V系统应用提供了充分的安全裕量，确保在高压波动下稳定工作。
2~5V的阈值电压（Vth），兼顾了驱动的便利性与抗干扰能力。
高达40A的连续漏极电流（ID） 承载能力，足以驾驭高压大功率场景的严酷考验。
先进技术，铸就卓越性能
内核采用先进的 SiC（碳化硅） 技术。该技术凭借其宽禁带特性，实现了高压下极低的导通损耗与开关损耗，以及优异的高温工作性能。这不仅显著提升了PFC级的工作频率与效率，也减小了无源元件的体积与系统散热需求，为构建紧凑、高效的高压电源平台奠定了坚实基础。
VBP165C40-4L 关键参数速览
封装： TO247-4L
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 650V
栅源电压（VGS）： -10 / +20V
阈值电压（Vth）： 2~5V
导通电阻（RDS(on)）： 50 mΩ @ Vgs=18V
连续漏极电流（ID）： 40A
核心技术： SiC
选择VBP165C40-4L，不仅是选择了一颗高性能的SiC MOSFET，更是为您的AI数据中心高压电源系统选择了：
更高的能源转换效率，降低运营成本。
更优的高压平台适应性，抢占技术先机。
更可靠的系统保障，确保持续稳定供电。
面向未来的碳化硅技术平台，领先一步。
以尖端宽禁带功率器件，为人工智能数据中心的澎湃算力，奠定高效、坚实的高压能源基石。VBP165C40-4L，为您的下一代AI数据中心高压电源设计注入强大动能！