在高压功率应用领域，元器件的性能与供应链安全已成为决定产品竞争力的核心。寻找一个在性能上对标甚至超越、同时具备稳定供应与成本优势的国产替代器件，正从技术备选升级为关键战略。针对安森美NVB110N65S3F这款高压超结MOSFET，微碧半导体推出的VBL165R36S不仅实现了精准替代，更在关键性能与综合价值上完成了全面超越。
从参数对标到性能跃升：高压超结技术的再突破
NVB110N65S3F作为SUPERFET III系列代表，凭借650V耐压、30A电流及110mΩ导通电阻，在高压电源中广泛应用。然而，VBL165R36S在相同650V漏源电压与TO-263封装基础上，实现了关键指标的显著提升。其导通电阻大幅降低至75mΩ（@10V），较原型号的110mΩ降低约32%。这一改进直接带来导通损耗的显著下降，根据P=I²RDS(on)计算，在15A工作电流下，VBL165R36S的导通损耗降幅可达30%以上，意味着更高的系统效率、更低的温升与更优的热管理。
同时，VBL165R36S将连续漏极电流提升至36A，高于原型的30A，为设计留出充足余量，增强了系统在过载或高温环境下的可靠性，拓宽了功率边界。
拓宽应用场景，从“满足需求”到“提升效能”
VBL165R36S的性能优势可无缝转化到实际应用中，并在多个领域实现效能升级：
- 开关电源与工业电源：作为PFC、LLC等拓扑中的主开关管，更低的导通损耗与开关损耗有助于提升整机效率，轻松满足能效认证要求，同时简化散热设计。
- 光伏逆变器与储能系统：在高频高压环境下，优异的开关性能与低损耗特性可提高功率密度，延长系统寿命。
- 电机驱动与UPS：增强的电流能力与散热表现，支持更紧凑、更可靠的大功率设计。
超越参数：供应链安全与综合价值的战略选择
选择VBL165R36S的价值不仅体现在性能参数上。微碧半导体作为国内领先的功率器件供应商，可提供稳定可控的本土化供应链，有效规避国际供货波动与交期风险，保障生产连续性。
同时，国产替代带来的成本优势显著，在性能持平甚至更优的前提下，大幅降低物料成本，提升产品市场竞争力。此外，本土原厂的高效技术支持与快速响应，为项目开发与问题解决提供坚实保障。
迈向更高价值的国产替代方案
综上所述，微碧半导体的VBL165R36S不仅是NVB110N65S3F的替代品，更是一次从技术性能到供应链安全的全面升级。其在导通电阻、电流能力等核心指标上的超越，助力系统实现更高效率、更高功率与更高可靠性。
我们郑重推荐VBL165R36S，相信这款优秀的国产高压超结MOSFET将成为您下一代高压功率设计中，兼具卓越性能与卓越价值的理想选择，助您在市场竞争中赢得先机。