在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天，寻找一款性能卓越、供应稳定的国产功率器件进行替代，已成为提升产品竞争力的战略关键。针对威世（VISHAY）经典的N沟道功率MOSFET——IRLD024PBF，微碧半导体（VBsemi）推出的VBGC1695提供了并非简单的引脚兼容替代，而是一次在关键性能与综合价值上的显著跃升。
从参数对标到性能精进：核心指标的全面优化
IRLD024PBF作为一款采用HVMDIP-4封装的60V MOSFET，以其2.5A的连续漏极电流和快速开关特性，在诸多应用中备受青睐。微碧VBGC1695在继承相同60V漏源电压（Vdss）与2.5A连续电流（Id）的基础上，于核心的导通电阻（RDS(on)）参数上实现了关键性突破。
IRLD024PBF的导通电阻典型值为140mΩ@4V。而VBGC1695凭借先进的Trench工艺，将这一关键损耗指标显著降低：在4.5V栅极驱动下，其导通电阻仅为120mΩ；当驱动电压提升至10V时，更可低至100mΩ。这意味着在相同的工作条件下，VBGC1695的导通损耗更低，能够有效提升系统效率，减少发热，从而增强系统的热稳定性和可靠性。
拓宽应用效能，从“稳定运行”到“高效节能”
性能参数的优化直接赋能更广泛的应用场景，VBGC1695能在IRLD024PBF的传统应用领域实现无缝替换并带来能效提升。
低功率开关电源与DC-DC模块： 在辅助电源、隔离转换或同步整流应用中，更低的导通电阻有助于降低功率损耗，提升整体转换效率，助力产品满足更严苛的能效标准。
电机驱动与控制系统： 适用于小型风扇、泵类或精密仪器的电机驱动，更低的损耗意味着更低的器件温升，有利于延长使用寿命并提升系统可靠性。
负载开关与电路保护： 其快速开关特性与优化的导通性能，使其成为需要高效功率路径管理的理想选择。
超越单一器件：供应链安全与综合价值的战略之选
选择VBGC1695的价值维度超越数据表本身。微碧半导体作为国内可靠的功率器件供应商，能够提供更稳定、响应更迅速的本地化供应链支持，有效规避国际供应链波动带来的交期与成本风险，保障项目与生产计划的确定性。
同时，国产化替代带来的直接成本优势，能够在保持甚至提升性能的前提下，有效降低物料成本，增强终端产品的市场竞争力。此外，便捷高效的本地技术支持和售后服务，也为项目的快速推进与问题解决提供了坚实保障。
迈向更优价值的可靠选择
综上所述，微碧半导体的VBGC1695绝非IRLD024PBF的简单替代品，它是一次从电气性能到供应保障的全面价值升级。其在关键导通电阻参数上的显著优化，为您的设计带来了更高的效率与可靠性潜力。
我们诚挚推荐VBGC1695，这款优秀的国产功率MOSFET有望成为您在低功率应用设计中，实现卓越性能、稳定供应与高性价比的理想选择，助力您的产品在市场中构建持久优势。