在追求高效率与高可靠性的电源与驱动设计中，元器件的选择直接影响系统性能与成本结构。面对Vishay经典的SI9634DY-T1-GE3双N沟道MOSFET，微碧半导体（VBsemi）推出的VBA3615不仅实现了精准对标，更在关键性能上实现了跨越式提升，为同步整流、负载开关等应用提供了更优的国产化解决方案。
从参数对标到性能飞跃：核心指标的全面领先
SI9634DY-T1-GE3作为TrenchFET Gen IV产品，以其60V耐压、8A电流及38mΩ@4.5V的导通电阻，在同步整流领域备受认可。然而，VBA3615在相同的60V漏源电压与SOP-8封装基础上，实现了性能的显著突破。
最核心的进步体现在导通电阻的大幅降低：在4.5V栅极驱动下，VBA3615的导通电阻仅为15mΩ，相比原型的38mΩ降低了超过60%。在10V驱动下，其导通电阻进一步降至12mΩ。这一革命性改进直接大幅降低了导通损耗。根据公式P=I²RDS(on)，在5A电流下，VBA3615的导通损耗不足原型号的40%，为系统效率提升和温升控制带来质的改善。
同时，VBA3615将连续漏极电流提升至10A，高于原型的8A，为设计留出更充裕的安全余量，增强了系统在过载或高温环境下的稳健性。
拓宽应用效能，从“满足需求”到“提升体验”
VBA3615的性能优势使其在SI9634DY-T1-GE3的典型应用场景中，不仅能直接替换，更能释放更高潜力。
同步整流（SR）： 在DC-DC转换器及开关电源的次级侧，更低的RDS(on)能极大减少整流通路损耗，提升整机转换效率，助力产品满足更严苛的能效标准。
负载开关与功率分配： 在电池管理、电源路径控制等场景中，更低的导通压降意味着更小的电压损失和更高的功率传输效率，同时优异的电流能力支持更紧凑的设计。
电机驱动与H桥电路： 作为双N沟道集成器件，其一致的优异性能可简化电路布局，提升驱动效率与可靠性。
超越单一器件：供应链安全与综合成本的优势
选择VBA3615的价值超越数据表本身。微碧半导体作为国内可靠的功率器件供应商，提供了稳定可控的本土化供应链，有效规避国际采购中的交期与价格波动风险，保障项目与生产的连续性。
在具备显著性能优势的同时，国产方案通常带来更具竞争力的成本结构。采用VBA3615可直接降低物料成本，提升产品市场竞争力。便捷高效的本地技术支持与服务体系，更能加速项目落地与问题解决。
迈向更优解：高性能国产替代的战略升级
综上所述，微碧半导体的VBA3615绝非SI9634DY-T1-GE3的简单替代，它是一次在导通性能、电流能力及综合价值上的全面战略升级。其卓越的参数表现，能为您的电源与驱动设计带来更高的效率、更大的功率余量和更强的可靠性。
我们郑重推荐VBA3615，这款优秀的国产双N沟道功率MOSFET，是您实现产品性能提升与供应链优化的理想选择，助您在市场竞争中构建核心优势。