在追求电路小型化与高效率的今天，集成双路MOSFET以其节省空间、简化布局的优势，成为众多紧凑型设计的核心选择。当业界广泛采用AOS的AON7611时，微碧半导体（VBsemi）推出的VBQF5325提供了不仅是对标，更是全面超越的国产化解决方案，为提升产品竞争力与供应链安全注入强劲动力。
从参数对标到性能飞跃：核心指标的全面领先
AON7611作为一款经典的N+P沟道双MOSFET，其30V耐压与9A/18.5A电流能力满足了基础需求。VBQF5325则在相同DFN-8(3x3)封装和双路N+P沟道配置下，实现了关键电气性能的显著升级。
最核心的突破在于导通电阻的大幅降低。在10V栅极驱动下，VBQF5325的N沟道导通电阻低至13mΩ，P沟道为40mΩ，相比AON7611的50mΩ（N沟道）拥有压倒性优势。更低的RDS(on)直接带来更低的导通损耗和更高的系统效率，在开关电源、电机控制等应用中，这意味着更少的发热、更高的能效密度以及更优的热管理。
同时，VBQF5325提供了更灵活的电压与电流配置。其支持±30V（N沟道）与±20V（P沟道）的漏源电压，以及8A/-6A的连续漏极电流，为设计提供了更宽广的安全裕量与适配范围。
拓宽应用边界，赋能高效紧凑设计
VBQF5325的性能优势使其在AON7611的传统应用领域不仅能直接替换，更能释放更大潜力。
负载开关与电源路径管理： 更低的导通损耗减少了电压降和功率损失，特别适合电池供电设备，有助于延长续航。
DC-DC同步整流与电机驱动： 在同步Buck/Boost电路或H桥驱动中，优异的开关特性与低导通电阻可显著提升转换效率，降低温升。
空间受限的便携设备： 在手机、平板、TWS耳机等产品中，其高性能与小封装完美结合，助力实现更轻薄、更高效的设计。
超越性能：供应链安全与综合成本的优势
选择VBQF5325的价值超越数据表本身。微碧半导体作为可靠的国内供应商，能提供稳定、响应迅速的供货保障，有效规避国际供应链的不确定性风险，确保项目进度与生产计划。
在实现性能全面提升的同时，国产化方案通常具备更优的成本结构。采用VBQF5325不仅能降低物料成本，更能通过其更高的效率间接降低系统散热与能耗成本，从而在整体上提升产品的市场竞争力。便捷的本土技术支持与服务体系，也为项目的快速落地与问题解决提供了坚实后盾。
迈向更优的集成电源解决方案
综上所述，微碧半导体的VBQF5325绝非AON7611的简单替代，它是一次从电性能、到可靠性、再到供应链韧性的全方位升级。其在导通电阻、电流能力等关键指标上的明确领先，能为您的下一代紧凑型、高效率产品设计带来切实的性能提升与价值增益。
我们诚挚推荐VBQF5325，相信这款优秀的国产双路MOSFET能成为您设计中兼具卓越性能与卓越价值的理想选择，助力您在市场竞争中赢得先机。