在追求高效能与可靠性的功率电子领域，元器件的选择直接影响产品的核心竞争力。面对AOS的经典型号AOW482，微碧半导体（VBsemi）推出的VBN1806不仅实现了精准对标，更在关键性能与综合价值上完成了显著超越，成为国产化替代的战略优选。
从参数对标到性能突破：核心指标的全面升级
AOW482作为一款80V耐压的N沟道MOSFET，以其11A连续电流与7.2mΩ@10V的导通电阻服务于多种应用。而VBN1806在继承相同80V漏源电压及TO-262封装的基础上，实现了关键参数的跨越式提升。
最突出的优势在于导通电阻的大幅降低：在10V栅极驱动下，VBN1806的导通电阻仅为6mΩ，较AOW482的7.2mΩ降低了约16.7%。这一改进直接转化为更低的导通损耗。根据公式P=I²RDS(on)，在20A工作电流下，VBN1806的损耗显著减少，意味着更高的系统效率、更优的散热表现与更强的热稳定性。
同时，VBN1806将连续漏极电流能力大幅提升至85A，远超AOW482的11A。这为设计提供了充裕的余量，使系统在应对峰值负载或恶劣工况时更为稳健，显著增强了终端的可靠性与耐久性。
拓宽应用边界，从“稳定运行”到“高效领先”
性能的提升直接赋能于更严苛的应用场景，VBN1806在AOW482的传统领域内不仅能无缝替换，更能带来系统级的增强。
电机驱动系统：在电动车辆、工业伺服或自动化设备中，更低的导通损耗减少了MOSFET自身发热，提升了整体能效，有助于延长续航或降低散热成本。
开关电源与DC-DC转换器：作为主开关或同步整流管，更优的导通特性有助于提升电源转换效率，轻松满足高阶能效标准，并简化热管理设计。
大电流负载与逆变模块：高达85A的电流承载能力支持更高功率密度的设计，为紧凑型、高功率设备开发提供了可能。
超越参数：供应链安全与综合价值的战略考量
选择VBN1806的价值远不止于性能数据。微碧半导体作为国内核心功率器件供应商，可提供稳定、可控的本土化供应链，有效规避国际供需波动与交期风险，保障生产计划顺利推进。
同时，国产替代带来的成本优势显著，在性能全面领先的前提下，采用VBN1806有助于降低物料成本，直接提升产品市场竞争力。此外，便捷高效的本地技术支持与售后服务，更能加速项目落地与问题解决。
迈向更高价值的替代选择
综上所述，微碧半导体的VBN1806并非仅仅是AOW482的替代品，更是一次从技术性能到供应安全的全面升级方案。其在导通电阻、电流能力等核心指标上实现明确超越，助力您的产品在效率、功率与可靠性上达到新高度。
我们郑重推荐VBN1806，相信这款优秀的国产功率MOSFET能成为您下一代设计中兼具卓越性能与卓越价值的理想选择，助您在市场竞争中赢得先机。