在追求高效率与高可靠性的功率电子领域，元器件的选型直接决定着产品的核心竞争力。面对广泛应用的N沟道功率MOSFET——AOS的AOT2618L，微碧半导体（VBsemi）推出的VBM1615提供了一条性能全面超越、供应链自主可控的升级路径。这不仅是一次直接的型号替换，更是一次旨在提升系统效能与保障供货安全的战略决策。
从参数对标到性能飞跃：核心指标的显著提升
AOT2618L以其60V耐压和23A连续电流能力，在诸多应用中表现出色。然而，VBM1615在相同的60V漏源电压与TO-220封装基础上，实现了关键参数的大幅优化。
最突出的优势在于导通电阻的显著降低：在10V栅极驱动下，VBM1615的导通电阻低至11mΩ，远低于AOT2618L的19mΩ，降幅超过42%。这一改进直接带来导通损耗的锐减。根据公式P=I²RDS(on)，在20A工作电流下，VBM1615的导通损耗可比AOT2618L降低超过50%，这意味着更高的能源转换效率、更低的器件温升以及更优的热管理表现。
同时，VBM1615将连续漏极电流能力提升至60A，这相较于AOT2618L的23A实现了跨越式增长。这一特性为系统设计提供了充裕的电流裕量，使其能够从容应对峰值负载与恶劣工况，显著增强了最终产品的功率处理能力和长期运行可靠性。
拓宽应用边界，实现从“满足需求”到“释放潜能”
VBM1615的性能优势，使其在AOT2618L的传统应用场景中不仅能无缝替换，更能带来系统级的性能增强。
电机驱动与控制系统：在电动车辆辅助电机、工业伺服驱动或高效风机中，更低的导通损耗意味着更少的能量浪费与发热，有助于提升整体能效，延长设备寿命。
DC-DC转换器与开关电源：无论是作为主开关管还是同步整流管，大幅降低的导通电阻都能有效提升电源转换效率，助力产品轻松满足严苛的能效标准，并简化散热设计。
大电流负载与功率分配：高达60A的电流承载能力，支持设计更高功率密度、更紧凑的电源模块和逆变器方案，为设备的小型化与轻量化开辟空间。
超越数据表：供应链安全与综合成本的优势
选择VBM1615的价值远不止于纸面参数。微碧半导体作为国内领先的功率器件供应商，能够提供稳定、可靠的本土化供应链，有效规避国际贸易环境波动带来的交期与价格风险，确保生产计划的连续性与可控性。
在具备显著性能优势的同时，国产化的VBM1615通常兼具更优的成本竞争力，能够直接降低物料成本，提升产品市场吸引力。此外，便捷高效的本地技术支持与售后服务，也为项目的快速推进和问题解决提供了坚实保障。
迈向更高价值的替代选择
综上所述，微碧半导体的VBM1615并非AOT2618L的简单替代，而是一次从电气性能到供应体系的全面价值升级。其在导通电阻、电流能力等核心指标上的卓越表现，将助力您的产品在效率、功率密度及可靠性上达到新的高度。
我们诚挚推荐VBM1615，相信这款高性能的国产功率MOSFET能成为您下一代设计中，兼具顶尖性能与卓越价值的理想选择，助您在市场竞争中赢得关键优势。