在追求高效能与可靠性的功率电子设计中，元器件的选择直接决定了产品的核心竞争力。面对广泛应用的N沟道功率MOSFET——AOS的AOT2610L，微碧半导体（VBsemi）推出的VBM1615提供了一条性能更优、供应更稳、价值更高的国产替代路径。这不仅是一次简单的型号替换，更是一次全面的技术升级与供应链战略优化。
从参数对标到性能领先：关键指标的显著提升
AOT2610L作为一款经典型号，其60V耐压和20A测试条件下的低导通电阻（10.7mΩ @10V）满足了诸多中功率应用需求。VBM1615在继承相同60V漏源电压与TO-220封装的基础上，实现了核心参数的全面强化。
最突出的优势在于其电流承载能力的飞跃。VBM1615的连续漏极电流高达60A，远高于同类竞品，这为设计提供了充裕的余量，确保系统在高峰值负载或恶劣工况下依然稳定可靠。
在导通电阻方面，VBM1615同样表现出色。其在10V栅极驱动下导通电阻低至11mΩ，与AOT2610L的10.7mΩ处于同一优异水平，确保了极低的导通损耗。同时，其额外提供的4.5V栅压下的导通电阻参数（13mΩ），展现出在低栅压驱动场景下的良好性能，为不同驱动设计提供了灵活性。
拓宽应用边界，实现从“稳定”到“强劲”的跨越
VBM1615的性能优势使其能在AOT2610L的传统应用领域实现无缝升级，并拓展至更高要求的场景。
同步整流与DC-DC转换器： 在开关电源次级侧或降压转换器中，低至11mΩ的导通电阻能显著降低整流损耗，提升整体转换效率，有助于满足更严苛的能效标准。
电机驱动与控制： 适用于电动自行车控制器、无人机电调、工业伺服驱动等。高达60A的电流能力可轻松应对电机启动、堵转时的瞬时大电流，结合低导通损耗，系统发热更低，可靠性更高。
锂电保护与功率分配： 在电池管理系统（BMS）或大电流负载开关中，其低阈值电压（1.7V）与优异的导通特性，能实现更精准的控制与更低的功率损失。
超越数据表：供应链安全与综合成本的优势
选择VBM1615的价值远超参数本身。微碧半导体作为国内核心的功率器件供应商，能够提供稳定、可控的本土化供应链，有效规避国际贸易波动带来的断供风险与交期不确定性，保障项目进度与生产计划。
同时，国产化替代带来的成本优势显著，在性能持平乃至部分超越的前提下，采用VBM1615可直接降低物料成本，提升产品市场竞争力。此外，便捷高效的本地技术支持与售后服务，能加速产品开发与问题解决流程。
迈向更高价值的可靠选择
综上所述，微碧半导体的VBM1615并非AOT2610L的简单替代，而是一次在电流能力、导通特性及供应链韧性上的全面升级方案。它以其60A的高电流容量、优异的低导通电阻及稳定的本土化供应，成为提升产品功率密度、效率与可靠性的理想选择。
我们郑重推荐VBM1615，相信这款高性能国产功率MOSFET能为您的新一代设计注入强劲动力，在保障性能的同时优化成本与供应，助您在市场竞争中赢得关键优势。