在追求极致功率密度与可靠性的现代电子系统中，元器件的选型直接决定了产品的性能边界与市场竞争力。面对广泛应用的N沟道MOSFET——安世半导体的PMV88ENER，寻找一个在性能上匹敌、在供应上稳定、在成本上优化的国产替代方案，已成为提升供应链韧性与产品价值的关键战略。微碧半导体（VBsemi）推出的VB1695，正是为此而生的卓越解决方案，它不仅仅是对标，更是在核心性能与综合价值上的精准超越。
从参数对标到效能领先：关键指标的全面优化
PMV88ENER以其60V耐压、2.2A电流能力及SOT23小型化封装，在空间受限的电路中备受青睐。VB1695在继承相同60V漏源电压（Vdss）与紧凑型SOT23封装的基础上，实现了多项关键参数的显著提升。
最核心的突破在于导通电阻（RDS(on)）的大幅降低。在相同的10V栅极驱动条件下，VB1695的导通电阻低至75mΩ，相较于PMV88ENER的117mΩ，降幅高达约36%。这一优化直接转化为更低的导通损耗。根据公式P=I²RDS(on)，在1A的典型工作电流下，VB1695的导通损耗可比PMV88ENER降低超过三分之一，这意味着更高的电源转换效率、更少的发热量以及更优的热管理表现。
同时，VB1695将连续漏极电流（Id）提升至4A，远高于原型的2.2A。这为设计提供了充裕的电流裕量，使电路在应对峰值负载或恶劣工况时更加稳健可靠，显著增强了系统的耐久性与鲁棒性。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）为1.7V，具备良好的逻辑电平驱动兼容性。
拓宽应用场景，实现从“兼容”到“优越”的体验升级
VB1695的性能优势，使其能在PMV88ENER的所有经典应用场景中实现无缝替换，并带来系统级的性能增强。
负载开关与电源管理：在电池供电设备、便携式产品的电源路径管理中，更低的导通损耗意味着更低的压降和更长的续航时间，4A的电流能力也支持更大功率的负载。
DC-DC转换器：在同步整流或开关侧应用中，降低的RDS(on)能有效提升转换器效率，尤其有利于高频率、高密度电源设计。
电机驱动与信号控制：用于驱动小型风扇、微型泵或作为高速开关，其优异的开关特性与电流能力确保驱动更迅速、运行更可靠。
超越单一器件：供应链安全与综合成本的战略价值
选择VB1695的价值维度远超元器件本身。微碧半导体作为国内可靠的功率器件供应商，能够提供稳定、可控的本土化供应链，极大降低因国际贸易环境变化带来的供应中断与交期波动风险，保障项目进度与生产计划。
在具备性能优势的同时，VB1695通常展现出更具竞争力的成本优势，有助于优化整体物料清单（BOM）成本，直接提升终端产品的市场竞争力。此外，便捷高效的本地化技术支持与服务体系，能为您的项目快速落地与问题排查提供有力保障。
迈向更优选择的升级方案
综上所述，微碧半导体的VB1695并非仅仅是PMV88ENER的“替代品”，它是一次集更高效率、更强电流能力、更稳定供应与更优成本于一体的“战略性升级方案”。其在导通电阻和电流容量等核心指标上的明确超越，将助力您的产品在能效、功率密度和可靠性上实现新的突破。
我们诚挚推荐VB1695，相信这款优秀的国产功率MOSFET能成为您高密度、高效率设计中兼具卓越性能与卓越价值的理想选择，为您的产品赢得关键竞争优势。