在追求极致紧凑与高效能的现代电子系统中，元器件的选型直接决定了产品的性能边界与市场竞争力。面对广泛应用的N沟道MOSFET——安世半导体的PMV230ENEAR，寻求一款性能卓越、供应稳定且具成本优势的国产替代方案，已成为提升供应链韧性、优化产品价值的关键战略。微碧半导体（VBsemi）推出的VB1695，正是这样一款不仅实现精准对标，更在核心性能上完成超越的升级之选。
从参数对标到效能飞跃：一次精密的性能重塑
PMV230ENEAR以其60V耐压、1.5A电流能力及SOT-23封装，在空间受限的电路中占有一席之地。VB1695在继承相同60V漏源电压与紧凑型SOT-23封装的基础上，实现了关键电气参数的显著突破。
最核心的改进在于导通电阻的大幅降低：在10V栅极驱动下，VB1695的导通电阻低至75mΩ，相较于PMV230ENEAR的222mΩ，降幅超过66%。这直接意味着更低的导通损耗。根据公式P=I²RDS(on)，在1.5A工作电流下，VB1695的导通损耗仅为PMV230ENEAR的约三分之一，显著提升了系统能效，减少了发热，增强了热可靠性。
同时，VB1695将连续漏极电流能力提升至4A，远高于原型的1.5A。这为设计提供了充裕的余量，使电路在应对峰值电流或复杂工况时更加稳健可靠，拓宽了应用的安全边界。
拓宽应用场景，从“适配”到“驱动更强”
VB1695的性能优势，使其能在PMV230ENEAR的传统应用领域实现无缝升级，并胜任更严苛的任务。
高密度电源模块： 在DC-DC转换器、POL（负载点）电源中，更低的RDS(on)带来更高的转换效率和更低的温升，助力实现更高功率密度的设计。
电池保护与负载开关： 在移动设备、便携式产品中，4A的电流能力和优异的导通特性，可提供更高效的电源路径管理，减少电压跌落，延长续航。
信号切换与驱动电路： 其快速的开关特性和紧凑封装，非常适合用于驱动继电器、LED或作为高速信号开关，提升系统响应速度与集成度。
超越参数：供应链安全与综合价值的战略之选
选择VB1695的价值维度超越单一器件性能。微碧半导体作为国内可靠的功率器件供应商，能够提供更稳定、更可控的本土化供应链支持，有效规避国际供应链波动风险，保障项目交付与生产计划。
在具备性能优势的同时，国产替代带来的成本优化将进一步增强您产品的市场竞争力。此外，便捷高效的本地技术支持与服务体系，能加速研发进程，快速响应并解决应用问题。
迈向更高集成度与能效的优选方案
综上所述，微碧半导体的VB1695并非仅仅是PMV230ENEAR的简单“替代”，它是一次从电气性能、电流能力到供应安全的全面“价值升级”。其在导通电阻和电流容量上的卓越表现，能助力您的设计在效率、功率处理能力和可靠性上达到新高度。
我们诚挚推荐VB1695，相信这款高性能国产MOSFET能成为您下一代紧凑型、高效率设计的理想选择，为您的产品注入更强的核心竞争力。