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ZXMP3F36N8TC-VB 产品详细

产品简介:

1. 产品简介:

ZXMP3F36N8TC-VB是一款单极P通道MOSFET,采用SOP-8封装,专为低电压、高功率应用设计。该产品具有最大漏极源极电压(VDS)为-30V,适合用于中等电压的电源控制和开关应用。其阈值电压(Vth)为-1.7V,能够在较低栅源电压下启动工作,具有较低的导通电阻(RDS(on)),提供高效的能量转换。该MOSFET的最大漏极电流为-9A,能够承载较大的负载电流,适合各种高效能电源和负载管理应用。ZXMP3F36N8TC-VB采用沟槽型(Trench)技术,提供优异的开关特性和热稳定性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A 18mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-P
2. 详细参数说明:

- **型号**:ZXMP3F36N8TC-VB
- **封装**:SOP-8
- **配置**:单极P通道
- **最大漏极源极电压(VDS)**:-30V
- **最大栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(on))**:
- 24mΩ @ VGS = 4.5V
- 18mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**:-9A
- **技术类型**:Trench(沟槽型技术)

领域和模块应用:

3. 应用领域与模块举例:

# a) **电源管理系统**:
ZXMP3F36N8TC-VB由于其低导通电阻(RDS(on))和较大的漏极电流能力,适用于电源管理模块,尤其是DC-DC转换器、电池管理系统以及功率转换电路。其低导通电阻使得它在能量转换过程中损耗最小,提升了电源转换效率,适合用于需要高效率、低功率损耗的电源设计。

# b) **负载开关与电池保护**:
在便携式设备和电池驱动的系统中,ZXMP3F36N8TC-VB常用作电池保护和负载开关,尤其是智能手机、笔记本电脑等产品的电池管理系统。它的高电流承载能力和低导通电阻使其在电池充放电过程中保持高效且稳定,防止电池过放或过充,从而延长设备的使用寿命。

# c) **直流电源开关和功率调节**:
该MOSFET的高电流能力使其非常适合用于直流电源系统中的电流调节、功率开关和过载保护。ZXMP3F36N8TC-VB能够在电源切换和功率调节过程中减少功率损失,确保电源模块高效稳定运行,常用于高性能直流电源、转换器及功率管理设备。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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