产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-P |
-30V |
|
-3V |
-100A |
|
|
2.9mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-P |
-30V |
|
-3V |
-100A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-P |
-30V |
|
-3V |
-100A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| DFN8(5X6) |
Single-P |
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详细参数说明
- **封装类型**:DFN8(5X6)
- **配置**:单极性 P-沟道 (Single P-Channel)
- **最大漏源电压 (V_DS)**:-30V
- **最大栅源电压 (V_GS)**:±20V
- **阈值电压 (V_th)**:-3V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 5mΩ @ V_GS = 4.5V
- 2.9mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**:-100A
- **技术**:Trench 技术
- **应用温度范围**:-55°C 至 +150°C(具体值以数据手册为准)
- **功能特点**:
- 超低导通电阻,减少功率损耗
- 高电流承载能力,适合高功率应用
- 适用于高效能电源转换和大电流应用
- 采用先进的 Trench 技术,确保高频率和高效率性能
领域和模块应用:
应用领域和模块举例
1. **电动汽车 (EV)**
- 该 MOSFET 由于其低导通电阻和高电流承载能力,适用于电动汽车的电池管理系统(BMS)和电驱动系统中。它能够高效地开关控制电流流动,减少能量损失,提高系统的整体效率。
2. **DC-DC 转换器**
- 在 DC-DC 电源转换器中,WSD30L120DN56-VB 可用于负载调节和效率优化。低导通电阻意味着在高频工作时,系统损耗最小,能够有效提高能源转换效率,尤其适用于 12V、24V 系统的转换。
3. **电源管理**
- 该 MOSFET 适合在高效电源管理电路中使用,特别是在稳压电源(例如:5V、12V 电源适配器)和电池供电设备中,能够提供高效的电能传输,减少热损耗,延长设备的使用寿命。
4. **光伏逆变器**
- 在光伏逆变器中,该 MOSFET 由于其出色的开关特性和高电流承载能力,适合用作电源控制模块的一部分,以确保从太阳能板到电网的能量传输过程高效可靠。
5. **工业自动化**
- 在工业应用中,WSD30L120DN56-VB 可用于驱动电机和其他高功率负载的开关电路。其低导通电阻使其在大电流操作下保持高效,能够承受苛刻的工作环境,适合自动化设备中的功率调节应用。
6. **服务器电源**
- 在服务器电源模块中,作为高效电源转换的一部分,WSD30L120DN56-VB 可用于提高电流转换效率,减少热量产生,确保服务器电源在高负载时稳定工作。
通过这些应用示例,WSD30L120DN56-VB 显示出其在多个高功率、高效能需求的领域中的优势。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性