WPMD3002-8 TR-VB - VBsemi MOS管制造商

WPMD3002-8 TR-VB 产品详细

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产品简介：

1. **产品简介**

WPMD3002-8 TR-VB 是一款采用 SOP8 封装的双 P 通道 MOSFET（P+P-Channel），专为低电压、高效能的电源开关应用设计。其最大漏源电压（VDS）为-30V，能够承受较高的反向电压，适用于电池供电设备或其他需要高效能开关的电源管理系统。该 MOSFET 的阈值电压（Vth）为-1.7V，在较低电压下即可开启，具备良好的导通性能，减少功率损失。WPMD3002-8 TR-VB 的导通电阻（RDS(ON)）分别为 45mΩ（VGS=4.5V）和 35mΩ（VGS=10V），显示出其优异的导通能力，尤其适用于高效率、高性能的开关电路。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Dual-P+P	-30V		-1.7V	-7.3A			35mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Dual-P+P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Dual-P+P	-30V		-1.7V	-7.3A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Dual-P+P	-30V		-1.7V	-7.3A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Dual-P+P

2. **详细参数说明**

- **封装类型**：SOP8
- **配置**：双 P 通道（P+P-Channel）
- **漏源电压（VDS）**：-30V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：-1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 45mΩ（@VGS=4.5V）
- 35mΩ（@VGS=10V）
- **漏极电流（ID）**：-7.3A
- **技术**：Trench

领域和模块应用：

3. **应用举例**

WPMD3002-8 TR-VB的低阈值电压和低导通电阻使其非常适用于低电压、高效能开关电路。以下是其常见应用领域：

- **电池管理和负载开关**：WPMD3002-8 TR-VB可用作电池管理系统中的负载开关，特别是在移动设备、电池驱动的电子产品中，能够确保高效的电源控制和优化电池的使用寿命。其低RDS(ON)特性有效降低功率损耗，延长电池续航时间。

- **DC-DC 转换器**：在DC-DC转换器中，尤其是步降或步升转换电路中，WPMD3002-8 TR-VB通过减少开关损耗来提高整体转换效率，非常适合用于要求高效能和低待机功耗的电源模块。

- **电动工具与小型电动设备**：在电动工具或小型电动设备中，WPMD3002-8 TR-VB能提供高效的电流开关控制。其低导通电阻能够减少热量产生，提升设备的整体稳定性和寿命。

- **电源模块与电力供应器**：该MOSFET在电源模块或高效电源供应器中也有广泛应用，尤其是在低电压、高功率密度的场景下，如用于LED驱动电源、家电控制器等。

WPMD3002-8 TR-VB的双 P 通道设计以及低 RDS(ON) 使其在多个领域中成为电源管理、功率转换和负载开关等应用的理想选择，特别适用于低功耗、高效率的电源系统。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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