推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

VSO100P10MS-VB 产品详细

产品简介:

1. **VSO100P10MS-VB 产品简介**

VSO100P10MS-VB 是一款采用 SOP8 封装的单 P 沟道 MOSFET,专为低电压、高效率电源管理和开关应用设计。该 MOSFET 具有最大漏源电压(V_DS)为 -100V,最大栅源电压(V_GS)为 ±20V,适用于负电源系统中的高效开关控制。VSO100P10MS-VB 的栅源阈值电压(V_th)为 -2V,具有低导通电阻,适合用于电源转换、电池管理以及其他负载驱动系统。其使用 Trench 技术,提供了优秀的开关性能和较低的导通损耗。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -100V -2V -2.5A 160mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -100V -2V -2.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -100V -2V -2.5A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-P
2. **VSO100P10MS-VB 参数说明**

- **封装类型**:SOP8
- **配置**:单 P-沟道 MOSFET
- **最大漏源电压(V_DS)**:-100V
- **最大栅源电压(V_GS)**:±20V
- **栅源阈值电压(V_th)**:-2V
- **导通电阻(R_DS(ON))**:
- 200mΩ @ V_GS = 4.5V
- 160mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏极电流(I_D)**:-2.5A
- **技术类型**:Trench(沟槽型)
- **工作温度范围**:通常适用于高效电源和低电压开关应用。

领域和模块应用:

3. **应用领域和模块示例**

VSO100P10MS-VB 在多个领域和模块中具有广泛应用,以下是一些典型应用示例:

- **电池管理系统(BMS)**:作为 P 沟道 MOSFET,VSO100P10MS-VB 在电池管理系统中广泛应用于负电源路径的电流控制。其低导通电阻能够有效减少系统损耗,提升能效,尤其在电动汽车(EV)和储能系统中表现优异。

- **逆变器和电源转换器**:在逆变器和 DC-DC 转换器中,VSO100P10MS-VB 可用于高效的开关控制,尤其适用于负电源输出的应用,能够在转换过程中提供低损耗和快速响应。

- **电动驱动系统**:在电动驱动和马达控制系统中,P 沟道 MOSFET 具有优异的性能,VSO100P10MS-VB 可作为开关元件用于电机驱动电路,确保系统能够平稳运行并具备高效性能。

- **负电源模块**:由于其负电压承载能力,该 MOSFET 非常适合用于负电源模块中,常见应用包括负电源供电电路、负电压稳压器和负电源管理系统。

- **负载驱动电路**:在电力电子设备中,VSO100P10MS-VB 可用于负载驱动电路,如开关电源、电池充电器以及其它负载控制系统,尤其适用于负电压的应用场合。

总体而言,VSO100P10MS-VB 在电池管理、电源转换、负电源模块和电动驱动等领域中具有广泛的应用,适合用于需要高效开关控制和低损耗的负电压电源系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询