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UT9435G-S08-R-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**UT9435G-S08-R-VB** 是一款基于 Trench 技术的 P-Channel MOSFET,采用 SOP8 封装。该器件具有出色的电流控制性能,最大漏源电压(VDS)为 -30V,适用于低压电源管理、电流开关等多种场合。由于其较低的 RDS(ON) 和较高的漏极电流承载能力(最大 ID 为 -5.8A),该 MOSFET 可在高效能和高功率要求的应用中提供稳定的工作性能。它的栅源电压(VGS)为 ±20V,而开启电压(Vth)为 -1.7V,确保了它在多数常见电路中都能稳定工作。

该 MOSFET 特别适用于需要低导通电阻和高开关速度的场合,例如电源转换、负载开关以及电池管理系统等。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A 33mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-P
详细参数说明

- **封装**: SOP8
- **配置**: 单 P-Channel
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: -30V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 56mΩ @ VGS = 4.5V
- 33mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -5.8A
- **技术**: Trench

**注意**:此 MOSFET 的 RDS(ON) 在较高栅源电压下更低,意味着在 VGS=10V 时,它能以较低的导通电阻工作,从而有效减少电源损耗和提升整体效率。

领域和模块应用:

应用领域与模块举例

1. **电源管理**:
UT9435G-S08-R-VB 是电源转换电路中理想的开关元件,特别适用于低压电源(如 5V 或 12V)系统中。在高效电源转换器中,它可作为主开关,在电池供电的电源模块中进行电流控制,减少功耗并提高转换效率。它的低 RDS(ON) 值有助于提高电源的总体效率,减少热量产生。

2. **负载开关**:
作为负载开关,UT9435G-S08-R-VB 可以有效地控制电流流向并进行高效开关切换。此器件能够承受高电流负载,常见于便携式设备、电池管理模块和汽车电路等应用中。在负载开关应用中,较低的 RDS(ON) 确保了低功率损耗和较高的电流切换效率。

3. **电池管理系统 (BMS)**:
该 MOSFET 在电池管理系统中发挥重要作用,特别是在电池的充放电控制、过流保护及电池电量平衡等模块中。由于其较低的导通电阻,UT9435G-S08-R-VB 能在电池充放电过程中提供高效的电流切换,从而优化电池的使用效率。

4. **电动工具和家电产品**:
在电动工具、电动玩具和家电产品中,UT9435G-S08-R-VB 适用于驱动电机的开关控制电路。由于其低导通电阻和较高的电流承载能力,该 MOSFET 可在高功率负载下稳定工作,提升设备的整体效率和耐用性。

5. **汽车电子应用**:
在汽车电子领域,UT9435G-S08-R-VB 可以用于控制汽车中的负载开关、电池管理和电源调节模块。该 MOSFET 能够在严格的电压和电流要求下稳定工作,特别适合用于车载电源模块、电动驱动系统和能量回收系统中。

通过这些应用领域,UT9435G-S08-R-VB 提供了强大的性能和灵活性,尤其适用于那些需要高效开关和低功耗控制的环境。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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