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UT75N03-VB 产品详细

产品简介:

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**UT75N03-VB** 是一款高性能的单 N 型通道 MOSFET,采用 TO220 封装,专为低电压和高电流应用设计。其最大漏源电压(VDS)为 30V,栅源电压(VGS)最大可承受 ±20V。该 MOSFET 使用 Trench 技术,并具有非常低的导通电阻(RDS(ON)),在 VGS=10V 时,RDS(ON) 可达到 3mΩ,确保了其高效的电流传输特性。最大漏电流(ID)可达到 120A,适用于高电流、高效率的开关应用,广泛应用于电源管理、负载开关和电池驱动等领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明:

- **型号**: UT75N03-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N 型通道
- **VDS(漏源电压)**: 30V
- **VGS(栅源电压)**: ±20V
- **Vth(开启电压)**: 1.7V
- **RDS(ON)(导通电阻)**:
- @VGS=4.5V: 4mΩ
- @VGS=10V: 3mΩ
- **ID(最大漏电流)**: 120A
- **技术**: Trench 技术

领域和模块应用:

应用领域与模块举例:

1. **高效电源管理系统**
UT75N03-VB 由于其低导通电阻和高漏电流承载能力,适用于各种高效电源管理系统,如 DC-DC 转换器、降压电源、升压电源等。在这些应用中,它能够有效控制电流流动并减少能量损耗,提高电源效率。此外,低 RDS(ON) 使其能够在较高电流下保持较低的功率消耗,适合高效能电源模块和电池充电器等设备。

2. **电池供电与负载开关**
在电池供电设备中,如电动工具、便携式电子产品和无线设备,UT75N03-VB 能够作为负载开关使用。其极低的导通电阻减少了功率损失,并延长了电池寿命。MOSFET 的高电流承载能力使其非常适合用于电池管理系统、负载开关和充电管理等应用。

3. **高功率开关应用**
UT75N03-VB 可用于各种高功率开关应用,特别是在需要高电流传输的场合,例如电动机驱动、逆变器和不间断电源(UPS)系统中。由于其高电流承载能力和低 RDS(ON),该 MOSFET 可在这些高功率应用中有效地控制大电流流动,并确保系统的高效运行。

4. **汽车电子系统**
该 MOSFET 也适用于汽车电子系统,如电动汽车、电池管理和汽车控制模块。在电动车辆中的动力系统、电池管理单元和充电系统中,UT75N03-VB 能够作为高效开关元件,确保电力的高效传输,同时提高电池的使用效率和寿命。

5. **电动工具与工业应用**
在电动工具和工业设备中,UT75N03-VB 可用于高效电流开关应用,承受大量电流负载。由于其高电流能力和低功耗特性,它非常适合用于这些高功率、连续工作负载的环境。

6. **消费电子产品**
UT75N03-VB 还可以在消费电子产品中用于电池管理和功率调节。由于其高电流能力和低能耗,它适合在智能手机、笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理和电池充电系统中使用。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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