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UT5003Z-VB 产品详细

产品简介:

1. 产品简介

**UT5003Z-VB** 是一款采用 **SOP8封装** 的 **双N+P沟道MOSFET**。该器件集成了一个 **N沟道和一个P沟道MOSFET**,适用于需要双极性开关操作的应用。它采用了 **Trench技术**,在低导通电阻和高开关速度方面表现优秀。**最大漏源电压(VDS)为±30V**,适合用于中低电压的开关应用。该MOSFET的 **导通电阻** 为 **24mΩ**(N通道)和 **50mΩ**(P通道)@VGS=4.5V,在 **VGS=10V** 时,分别为 **18mΩ** 和 **40mΩ**,具有非常低的功率损耗。其最大漏极电流(**ID**)为 **±8A**,非常适合用于低功率、高效的电源管理和负载切换应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A 18/40mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+P
2. 详细参数说明

- **封装类型**:SOP8
- **配置**:双N+P沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**:±30V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:
- N通道:1.6V
- P通道:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N通道:24mΩ @VGS=4.5V,18mΩ @VGS=10V
- P通道:50mΩ @VGS=4.5V,40mΩ @VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:±8A
- **技术**:Trench技术
- **功率损耗**:根据实际应用条件和环境温度计算
- **工作温度范围**:-55°C至+150°C
- **热阻(junction-to-case)**:优化的散热设计
- **输入电荷 (Qg)**:适用于中频开关应用
- **负载开关特性**:适合双极性负载控制,具有较高的开关频率
- **抗辐射能力**:适用于复杂环境下工作

领域和模块应用:

3. 适用领域和模块

# 1. **DC-DC转换器**
UT5003Z-VB 可广泛应用于 **DC-DC转换器**,特别是需要 **双极性开关控制** 的场合。在许多电源管理系统中,特别是在 **降压(Buck)和升压(Boost)转换器** 中,N通道和P通道MOSFET的结合使用能有效提高转换效率。其 **低RDS(ON)** 值有助于减小开关过程中的功率损耗,提升能效,尤其适合在要求高效、低功耗的电源系统中使用。

# 6. **电动工具和家电**
UT5003Z-VB 在 **电动工具和家电** 中也有广泛应用,尤其适用于高效的 **电机驱动电路** 和 **负载切换模块**。其 **±8A** 的最大漏极电流能力能够有效控制电动工具中的电机负载,如电动螺丝刀、电动钻机、吸尘器等家电设备,通过提供精准控制和低功率损耗,提升设备的工作效率与寿命。

# 7. **电池管理系统(BMS)**
在 **电池管理系统(BMS)** 中,UT5003Z-VB 可用于电池电压调节和电流管理。由于其双N+P配置,该MOSFET能够在电池的充电、放电过程中提供稳定的电流控制。它可以用作 **电池保护开关**、**电流传感器电路** 中的关键组件,特别适用于 **电动汽车(EV)** 和 **储能系统** 中的电池管理。

# 8. **智能电源开关**
在 **智能电源系统** 中,UT5003Z-VB 可用作 **智能负载开关**。其高 **开关频率** 和 **低导通电阻** 特性使其非常适合用于低功率的 **电源开关设备**,如 **UPS系统**、**电源分配设备**、**工业电源管理系统** 等,能够在负载变化时快速响应并进行稳定控制。

总结

**UT5003Z-VB** 是一款集成了 **N沟道和P沟道MOSFET** 的双极性开关器件,采用 **Trench技术**,具备 **±30V** 的最大漏源电压和 **±8A** 的最大漏极电流,适用于需要双极性控制的各种中低功率开关应用。其低 **RDS(ON)** 值确保了高效的功率转换和低损耗,广泛应用于 **电源管理、H桥驱动电路、电池管理系统、LED驱动、功率放大器、智能电源开关** 等领域,适合各种中等功率的开关和负载控制系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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