产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
120A |
|
|
3mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
120A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
120A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| TO220 |
Single-N |
|
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|
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2. 详细参数说明
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单极N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**:30V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @VGS=10V
- 4mΩ @VGS=4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**:120A
- **技术**:Trench技术
- **最大功率损耗**:根据具体工作条件计算
- **工作温度范围**:-55°C至+150°C
- **热阻(junction-to-case)**:较低热阻设计,有助于散热
- **输入电荷 (Qg)**:适用于高频应用
- **抗辐射能力**:适用于较苛刻的环境
领域和模块应用:
3. 适用领域和模块
# 1. **电源转换和电源管理系统**
由于其**低导通电阻**和**高电流承载能力(120A)**,UT100N03-TA3-T-VB在电源转换系统中具有广泛应用。例如,在**开关电源(SMPS)**、**DC-DC转换器**和**AC-DC适配器**中,可以实现高效的电能转换,减少损耗并提高电源效率。低导通电阻也使得它能够在高电流工作状态下保持较低的温升,适合用于要求高效能和稳定性的电源管理模块。
# 6. **高频应用和射频功率放大器**
UT100N03-TA3-T-VB由于其较低的输入电荷(Qg)和开关特性,适合用于一些**高频开关应用**,例如射频功率放大器、射频开关电路等。这些领域需要快速响应和高效率的开关器件,MOSFET的高开关速度使其在高频领域中的应用效果更加优异。
# 7. **消费电子产品**
在一些需要大电流驱动的消费电子产品中,例如**便携式音响系统**、**无人机**以及**智能家居设备**,UT100N03-TA3-T-VB由于其低导通电阻和高电流能力,也能为这些设备提供高效稳定的电力供应,保证其长期稳定运行。
总的来说,UT100N03-TA3-T-VB适用于从电源管理到高功率电池驱动等多个领域,凭借其卓越的电流承载能力、低导通电阻和高效的开关性能,广泛应用于现代电子产品的各个模块中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性