推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

UT100N03-TA3-T-VB 产品详细

产品简介:

1. 产品简介

**UT100N03-TA3-T-VB**是一款采用**TO220封装**的**单极N沟道**功率MOSFET,采用**Trench技术**,具有优异的导通性能和开关特性。该MOSFET的最大漏源电压(VDS)为**30V**,适用于低压应用,广泛用于电流密度较高的场合。**Vth(阈值电压)为1.7V**,确保了器件的高效开关性能,能够在较低的栅源电压下顺利导通。器件的**RDS(ON)**在**VGS=10V**时为**3mΩ**,在**VGS=4.5V**时为**4mΩ**,表现出极低的导通电阻,降低了功率损耗并提升了效率。其最大漏极电流**ID**为**120A**,能够在高电流负载下稳定工作,适合用于高功率密度的应用。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
2. 详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单极N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**:30V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @VGS=10V
- 4mΩ @VGS=4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**:120A
- **技术**:Trench技术
- **最大功率损耗**:根据具体工作条件计算
- **工作温度范围**:-55°C至+150°C
- **热阻(junction-to-case)**:较低热阻设计,有助于散热
- **输入电荷 (Qg)**:适用于高频应用
- **抗辐射能力**:适用于较苛刻的环境

领域和模块应用:

3. 适用领域和模块

# 1. **电源转换和电源管理系统**
由于其**低导通电阻**和**高电流承载能力(120A)**,UT100N03-TA3-T-VB在电源转换系统中具有广泛应用。例如,在**开关电源(SMPS)**、**DC-DC转换器**和**AC-DC适配器**中,可以实现高效的电能转换,减少损耗并提高电源效率。低导通电阻也使得它能够在高电流工作状态下保持较低的温升,适合用于要求高效能和稳定性的电源管理模块。

# 6. **高频应用和射频功率放大器**
UT100N03-TA3-T-VB由于其较低的输入电荷(Qg)和开关特性,适合用于一些**高频开关应用**,例如射频功率放大器、射频开关电路等。这些领域需要快速响应和高效率的开关器件,MOSFET的高开关速度使其在高频领域中的应用效果更加优异。

# 7. **消费电子产品**
在一些需要大电流驱动的消费电子产品中,例如**便携式音响系统**、**无人机**以及**智能家居设备**,UT100N03-TA3-T-VB由于其低导通电阻和高电流能力,也能为这些设备提供高效稳定的电力供应,保证其长期稳定运行。

总的来说,UT100N03-TA3-T-VB适用于从电源管理到高功率电池驱动等多个领域,凭借其卓越的电流承载能力、低导通电阻和高效的开关性能,广泛应用于现代电子产品的各个模块中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询