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UPA2200T1M-T1-AT-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**UPA2200T1M-T1-AT-VB** 是一款高效能的 P 型 MOSFET,采用小型 DFN8(3X2)-B 封装,具有良好的电流控制能力和低导通电阻。其最大漏源电压(VDS)为 -30V,最大栅源电压(VGS)为 ±20V,适合用于低电压驱动的电源控制与开关应用。UPA2200T1M-T1-AT-VB 的导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 42mΩ,在 VGS=10V 时为 30mΩ,提供较低的功率损耗,确保高效能设计。其漏极电流(ID)最大可达 -5.1A,适用于负载开关、电源管理、电池保护等多个领域。该产品采用 Trench 技术,能够显著降低导通电阻,提高电源系统的效率,特别适合用于便携设备和要求高效能的低电压应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X2)-B Single-P -30V -1.5V -5.1A 30mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X2)-B Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X2)-B Single-P -30V -1.5V -5.1A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X2)-B Single-P -30V -1.5V -5.1A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X2)-B Single-P
详细参数说明

- **封装类型**:DFN8(3X2)-B
- **配置类型**:单 P 型 MOSFET
- **漏极-源极电压(VDS)**:-30V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS=4.5V
- 30mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:-5.1A
- **技术类型**:Trench(沟槽技术)

领域和模块应用:

适用领域和模块示例

1. **电池管理系统(BMS)**
UPA2200T1M-T1-AT-VB 的低导通电阻和中等电流能力使其成为电池管理系统中重要的开关元件。在电池的充电与放电过程中,P 型 MOSFET 用于电池的放电管理,能够有效控制电流流动,保护电池免受过放或过充的损害。该 MOSFET 可广泛应用于电动工具、电动汽车、电池储能设备等需要高效电池管理的应用。

2. **负载开关和电源管理**
UPA2200T1M-T1-AT-VB 的高效率和低导通电阻使其成为负载开关控制和电源管理系统中的理想选择。在电源设计中,P 型 MOSFET 可以用于控制负载电流的开关,有效减少能量损耗,提高系统的效率。它适用于电源适配器、充电器、DC-DC 转换器等电源管理模块。

3. **高效电源转换器和稳压器**
该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、电源稳压器等应用中。由于其低 RDS(ON),它能显著降低电源转换过程中的能量损耗,提升转换效率,特别适合要求低功耗、高效率的电子产品,如便携式设备和高效电源模块。

4. **LED 驱动电源**
UPA2200T1M-T1-AT-VB 的低导通电阻和高效能使其在 LED 驱动应用中表现优异。在 LED 照明系统中,P 型 MOSFET 主要用于控制电流,通过提供稳定的电流以维持 LED 的亮度,并降低功率损耗。该 MOSFET 适用于家用和工业LED照明、汽车灯光及广告显示等领域。

5. **智能家居与消费电子**
在智能家居、消费电子和低功耗设备中,UPA2200T1M-T1-AT-VB 可用作电源开关和电池管理元件。其小巧的 DFN8 封装使其适合体积紧凑的应用,如智能传感器、无线设备、家电产品等。

6. **马达驱动和控制**
由于其较低的导通电阻和较高的电流承载能力,UPA2200T1M-T1-AT-VB 适合用于马达驱动和控制系统。在电动马达驱动、风扇控制以及机器人驱动系统中,它能够通过高效的开关控制帮助提升电机的运行效率,减少能量损耗并延长设备的使用寿命。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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