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UPA1793G-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**UPA1793G-VB** 是一款双极性N沟和P沟MOSFET,采用SOP8封装,专为低至中电压和电流控制应用设计。该型号在一个封装内集成了N通道和P通道MOSFET,具有±20V的漏源电压(VDS),适用于双极性电源管理系统。UPA1793G-VB 的阈值电压(Vth)分别为1.0V(N通道)和-1.2V(P通道),使其能够在低电压下快速开启,适用于多种电流控制和开关应用。导通电阻(RDS(ON))在VGS=4.5V时,N通道为6mΩ,P通道为16mΩ;而在VGS=2.5V时,N通道为10mΩ,P通道为20mΩ。其最大漏极电流(ID)为15A(N通道)和-8.5A(P通道),适合要求较高电流的应用。采用**Trench技术**,优化了开关性能和能效,适用于广泛的电源转换、电池管理和电机驱动等应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±20V 1.0/-1.2V 15/-8.5A 10/20mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±20V 1.0/-1.2V 15/-8.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±20V 1.0/-1.2V 15/-8.5A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+P
详细参数说明

| 参数 | 数值 |
|-----------------------|----------------|
| **封装类型** | SOP8 |
| **配置** | 双极N通道+P通道 MOSFET |
| **漏极-源极电压 (VDS)** | ±20V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±12V |
| **阈值电压 (Vth)** | N通道:1.0V
P通道:-1.2V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | N通道:10mΩ@VGS=2.5V
P通道:20mΩ@VGS=2.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | N通道:6mΩ@VGS=4.5V
P通道:16mΩ@VGS=4.5V |
| **最大漏极电流 (ID)** | N通道:15A
P通道:-8.5A |
| **技术类型** | Trench技术 |

领域和模块应用:

产品应用领域与模块举例

1. **双极性电源管理**:
由于UPA1793G-VB集成了N通道和P通道MOSFET,它非常适用于双极性电源系统。这种双MOSFET配置可以简化电源管理系统中的开关设计,尤其适用于需要正负电压供电的电源模块。在这种应用中,UPA1793G-VB可以有效地调节电压并管理正负电流流动,提升系统的效率和稳定性。

2. **DC-DC转换器**:
在DC-DC转换器中,UPA1793G-VB可以用作开关元件,帮助高效转换电压。N通道MOSFET通常用于负载端,P通道MOSFET则可以用于输入端或主开关的电流控制。其低RDS(ON)特性使得转换过程中的功率损失降到最低,提升了转换效率。尤其适用于要求高效率、高功率密度的电源系统,如笔记本电脑、便携式电源和工业控制设备。

3. **电池管理系统**:
在电池管理系统中,UPA1793G-VB可以用于电池的充放电控制,特别是在多电池配置的系统中。通过有效调节充电和放电电流,MOSFET可以帮助平衡电池单元的电压,保护电池免受过充或过放电的损害。其双MOSFET配置还使其能够高效地控制电池组的电流流向,特别适用于电动工具、电动汽车或其他大电池组设备。

4. **电机驱动与控制**:
UPA1793G-VB的高电流承载能力和低导通电阻使其非常适用于电机驱动系统。无论是在直流电机控制还是在步进电机控制中,MOSFET能够高效地调节电机电流,减少能量损耗,保证电机的平稳启动和运行。在家电、自动化设备和机器人系统中,电机控制是其核心功能,UPA1793G-VB提供了优异的性能支持。

5. **LED驱动电路**:
该型号也适用于LED驱动电路,特别是在大功率LED灯具或背光源模块中。N通道和P通道MOSFET的组合可以用于精确控制LED的电流,调节其亮度并确保稳定工作。UPA1793G-VB低导通电阻的特性帮助降低能量损耗,提高效率,使其非常适合应用于节能型照明系统中。

6. **信号开关和模拟开关**:
由于其双MOSFET配置,UPA1793G-VB还可以作为信号开关或模拟开关,用于切换不同的信号路径。在射频通信设备、音频信号控制和数据通信设备中,MOSFET能够在高频信号之间切换,同时保持低的插入损耗和高的信号传输效率。适用于各种高频开关应用,如无线电通信、数据采集系统和音频处理系统。

7. **智能电池充电器**:
在智能电池充电器中,UPA1793G-VB可以帮助控制电池充电电流和电压的调节。由于其低导通电阻和高开关频率,能够提供高效的电池管理,确保充电过程中的快速反应和精确控制。其双MOSFET配置使得它能够处理正负电流流动的调节,适用于高效的电池充电系统中。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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