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UF8010G-TA3-T-VB 产品详细

产品简介:

**UF8010G-TA3-T-VB 产品简介:**

UF8010G-TA3-T-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO220 封装,适用于高效电源管理和功率开关应用。其最大漏源电压(VDS)为 100V,栅源电压(VGS)最大可承受 ±20V,具有 100A 的最大漏极电流(ID),且采用先进的 Trench 技术,以低导通电阻(RDS(ON))和高电流承载能力为特点。该器件的阈值电压(Vth)为 2.5V,能提供卓越的导电性和开关效率,非常适合用于需要高效能和低功耗的电力转换系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
**详细参数说明:**

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N通道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:100V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 20mΩ(VGS = 4.5V)
- 9mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏电流(ID)**:100A
- **技术**:Trench 技术(低导通电阻和高电流承载能力)

领域和模块应用:

**适用领域与模块:**

UF8010G-TA3-T-VB 作为一种高性能 MOSFET,广泛应用于以下领域和模块:

1. **电动汽车 (EV) 电源管理**:
- 在电动汽车的电池管理系统和充电器中,UF8010G-TA3-T-VB 具有极低的导通电阻(9mΩ @ VGS=10V),能够提高效率,减少功率损失,非常适用于高电流驱动的应用,如电机驱动电路、电池充电和DC-DC转换器。

2. **电力转换模块**:
- 在高效率的电力转换系统(如DC-DC转换器和AC-DC电源供应器)中,UF8010G-TA3-T-VB 能够以其较低的导通电阻,减少热损耗,保证系统在高负载下的稳定性和效率。

3. **工业自动化和控制系统**:
- 由于该 MOSFET 在高电流和高电压应用中的优异表现,它在工业自动化系统中的功率控制模块、伺服驱动、以及电源供应中也能发挥重要作用,特别是在对功率转换效率要求严格的场合。

4. **太阳能逆变器**:
- 太阳能逆变器需要高效转换太阳能电池板产生的直流电为交流电。UF8010G-TA3-T-VB 的高效性能能够确保太阳能逆变器在不同行业的应用中达到最佳功率输出,并最大程度地减少能量损失。

5. **数据中心和服务器电源管理**:
- 在高性能计算平台和数据中心中,UF8010G-TA3-T-VB 能够作为 DC-DC 转换器的关键元件,支持高功率密度应用,确保服务器电源的高效性和可靠性。

通过这些应用,UF8010G-TA3-T-VB 显示出其在高效能电源管理和功率开关领域的卓越性能,是现代高功率电气系统中不可或缺的关键元件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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