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UF1010EL-TA3-T-VB 产品详细

产品简介:

UF1010EL-TA3-T-VB 产品简介

UF1010EL-TA3-T-VB 是一款采用 TO220 封装的单极 N 沟道 MOSFET,设计用于高效能开关和功率调节应用。其最大漏极源极电压 (V_DS) 为 30V,能够支持较高的漏电流 (I_D) 达 70A,适合在低电压、要求高效率和低导通损耗的环境中使用。该型号 MOSFET 采用先进的 Trench 技术,具有极低的 R_DS(ON) 阻抗,能在 10V 的栅极电压下提供低至 7mΩ 的导通电阻,进一步优化了整体性能,尤其适合需要高电流和低功耗的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 70A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 70A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 70A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
UF1010EL-TA3-T-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **最大漏极源极电压 (V_DS)**:30V
- **最大栅源电压 (V_GS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (V_th)**:1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 10mΩ @V_GS = 4.5V
- 7mΩ @V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**:70A
- **技术**:Trench 技术(用于降低 R_DS(ON) 和提高效率)

领域和模块应用:

UF1010EL-TA3-T-VB 适用领域与模块示例

1. **电源管理模块**:UF1010EL-TA3-T-VB 的低导通电阻使其特别适用于电源转换器、DC-DC 转换器和电源管理模块。这些模块通常需要低电阻和高效率,以减少能量损耗并优化热性能。UF1010EL-TA3-T-VB 提供的低 R_DS(ON) 使其在这些应用中具有很强的竞争力。

2. **电动汽车 (EV) 充电系统**:在电动汽车充电器中,低电阻和高电流承载能力是至关重要的。UF1010EL-TA3-T-VB 以 70A 的最大漏电流适应高电流应用,而其优越的导通特性可有效减少充电过程中的能量损失,提高充电效率。

3. **马达驱动电路**:在马达控制系统中,UF1010EL-TA3-T-VB 可用作开关元件,通过高效的开关操作控制电动机的电流和功率。它的快速响应特性使其非常适合用于高频开关电源的马达驱动应用。

4. **低电压电源开关**:UF1010EL-TA3-T-VB 还适用于低电压、高电流的电源开关应用,如智能家居设备、电池供电的应用及便携式电源模块等。其紧凑的封装和高电流承载能力使其在空间受限的应用中表现出色。

5. **高效能太阳能逆变器**:太阳能逆变器通常需要处理较大的电流,而 UF1010EL-TA3-T-VB 的低导通电阻和高电流能力使其成为理想的选择,用于提高系统效率并降低逆变过程中的能量损失。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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