产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
|
660mΩ |
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
Plannar |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| TO220 |
Single-N |
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**详细参数说明:**
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单 N 型通道
- **VDS (漏极源极电压)**: 500V
- **VGS (栅极源极电压)**: ±30V
- **Vth (栅极阈值电压)**: 3.1V
- **RDS(ON) (导通电阻)**: 660mΩ @ VGS = 10V
- **ID (最大漏极电流)**: 13A
- **技术类型**: Plannar
- **最大功率损耗 (Ptot)**: 90W(根据实际应用条件)
- **最大工作温度**: -55°C 至 +150°C
- **最大栅极电压 (VGS max)**: ±30V
- **最大漏极电压 (VDS max)**: 500V
- **RDS(ON)(典型值)**: 660mΩ @ VGS = 10V
- **封装类型**: TO220(适用于高功率应用,提供更好的散热性能)
领域和模块应用:
**应用领域和模块举例:**
1. **电源转换器 (AC-DC, DC-DC 转换器)**:
TSP730M-VB 由于其较高的耐压和低导通电阻特性,适用于电源转换器,特别是在需要 500V 或更高电压操作的高效能 AC-DC 或 DC-DC 转换器中。MOSFET 可用作开关元件,帮助实现高效的电能转换,广泛应用于电源适配器、移动电源、工业电源等设备中。
2. **功率因数校正(PFC)电路**:
在功率因数校正电路中,TSP730M-VB 通过高效的开关控制提高电力因数,减少电网对电源系统的负荷。这款 MOSFET 可用于电源设备中的 PFC 模块,如 UPS 电源、电动工具、LED 驱动电源等,确保电能的有效利用并减少能量浪费。
3. **电动机驱动系统**:
在电动机驱动系统中,TSP730M-VB 用于开关电流,驱动电动机工作,适用于直流电动机(DCM)驱动、电动工具和电动汽车(EV)的驱动模块。其较高的漏极电流能力(13A)使其能够应对较大的电流需求,且其低导通电阻帮助减少能量损耗,提高系统效率。
4. **照明和 LED 驱动电源**:
作为电源开关,TSP730M-VB 可以用于高功率 LED 驱动电源中,提供稳定的电流控制。由于其高耐压和低导通电阻,MOSFET 可以确保高效能驱动 LED 照明应用,如商业照明、家庭照明、背光源以及汽车 LED 照明系统。
5. **高功率变换设备**:
TSP730M-VB 适用于需要高耐压和高电流的功率转换设备,如逆变器、太阳能电池板系统、UPS 电源、移动能源系统等。在这些设备中,MOSFET 起到高效开关作用,确保电力从直流转换为交流或从一种电压级别转换到另一个,保证系统的稳定和高效运行。
6. **高压电力管理系统**:
由于其 500V 的耐压能力和高电流处理能力,TSP730M-VB 适合用于高压电力管理系统,尤其是在工业应用中。其低导通电阻特性也使其在高压环境下能有效减少能量损耗,适用于配电系统、铁路电力传输、工业电源管理等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性