产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
|
660mΩ |
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
Plannar |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
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|
**2. 详细的参数说明:**
- **型号**:TSM9NB50CI-VB
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N-Channel MOSFET
- **最大漏源电压(VDS)**:500V
- **最大栅源电压(VGS)**:±30V
- **门阈值电压(Vth)**:3.1V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- **VGS = 10V**:660mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:13A
- **技术类型**:Plannar技术
- **最大功率损耗(Pd)**:125W
- **开关时间**:
- 开通时间(ton):约100ns
- 关断时间(toff):约150ns
- **输入电容(Ciss)**:约1200pF
- **输出电容(Coss)**:约220pF
- **反向恢复时间(Trr)**:约150ns
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
领域和模块应用:
**3. 应用领域及模块示例:**
**TSM9NB50CI-VB** 的高电压和高电流特性使其非常适用于多种高功率电源管理和开关控制系统。以下是几个典型的应用领域和模块示例:
# **1. 高功率开关电源(SMPS)**
由于其能够承受500V的高漏源电压,**TSM9NB50CI-VB** 非常适用于**高功率开关电源(SMPS)**。在这些电源中,MOSFET用于控制电流流向,以提高功率转换效率。该MOSFET的低RDS(ON)特性可以减少电流流动时的功率损耗,从而提升电源系统的效率和稳定性。
# **6. 高压驱动电路**
TSM9NB50CI-VB适用于高压驱动电路,特别是在高电流负载的控制中。其最大漏极电流为13A,能够有效驱动大型负载,如电动机、加热元件等,确保设备的正常运行。
# **7. 启动器和保护电路**
在汽车电子和工业设备中,MOSFET用于**启动器电路**以及**过电压/过电流保护电路**。该MOSFET的高耐压能力和较高的开关性能可以保护敏感电路免受高电压的损害,同时确保系统的可靠性和长寿命。
**总结:**
**TSM9NB50CI-VB** 是一款**单N沟道MOSFET**,专为高电压、高电流应用设计,具有500V的最大漏源电压和较低的导通电阻(660mΩ@VGS=10V)。它广泛应用于**高功率开关电源、DC-DC转换器、电动工具、电池管理系统、逆变器**等领域,能够提供高效的功率转换和控制。凭借其优异的开关性能和高电流承载能力,TSM9NB50CI-VB在各类工业和消费电子产品中都发挥着重要作用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性