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TSM4N80CZ C0-VB 产品详细

产品简介:

1. 产品简介

**TSM4N80CZ C0-VB** 是一款采用TO220封装的单N型MOSFET,具有850V的漏极-源极电压(VDS)和30V的栅极-源极电压(VGS)。其栅极阈值电压(Vth)为3.5V,最大漏极电流(ID)为4A。该产品采用Plannar技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON) = 2700mΩ@VGS=10V),适合高压、大功率应用。

TSM4N80CZ C0-VB的高电压承载能力使其在电源管理、开关电源、逆变器、工业电力控制等领域具有广泛的应用。特别适用于需要高压开关和较低功耗的设备,如电源转换器和功率模块。由于其高耐压能力,该MOSFET能够处理较大电压和电流负载,同时在高温环境下保持稳定性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A 2700mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
2. 详细参数说明

- **型号**: TSM4N80CZ C0-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N型MOSFET
- **漏极-源极电压(VDS)**: 850V
- **栅极-源极电压(VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 2700mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**: 4A
- **最大功率损耗**: 30W(基于电流和电压条件)
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **最大反向恢复时间**: 100ns(典型值)
- **技术**: Plannar技术
- **热阻(Junction to Case)**: 2°C/W
- **最大反向泄漏电流**: 1mA @ VDS=850V

领域和模块应用:

3. 适用领域和模块举例

**1. 电源管理系统**
TSM4N80CZ C0-VB 适用于高压电源管理系统,尤其在高功率转换电源和电力调节器中。由于其850V的漏极-源极电压能力,适合用于高压输入电源的开关控制。其较低的导通电阻和高电流承载能力使其在高压电源转换系统中提供高效的功率开关。

例如,在AC-DC电源适配器中,TSM4N80CZ C0-VB可作为开关元件,有效地转换输入的交流电源为稳定的直流电源,广泛应用于计算机、电信和家电设备中。

**2. 逆变器和太阳能系统**
该型号MOSFET的高电压承载能力使其特别适用于逆变器电路。逆变器将直流电源(如太阳能电池板或电池)转换为交流电源。TSM4N80CZ C0-VB能够处理逆变器电路中的大电流和高电压,适合在能源转换系统中使用。

例如,TSM4N80CZ C0-VB 在太阳能逆变器中可以充当关键的开关元件,帮助将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供家庭或工业应用使用。

**3. 开关电源**
TSM4N80CZ C0-VB 还广泛用于开关电源设计中,尤其是在需要高压和高效率的应用中。其较低的RDS(ON)值和高电压耐受性使其成为高效开关电源设计的理想选择。在这些应用中,MOSFET的开关速度和导通电阻对于优化功率转换效率至关重要。

例如,在LED驱动电源、计算机电源模块和电力适配器中,TSM4N80CZ C0-VB可用于开关电源电路的功率转换部分,提供稳定的电流控制和高效能量转换。

**4. 工业电力控制**
TSM4N80CZ C0-VB 适用于各种工业电力控制应用,特别是在高电压和高电流环境下。由于其强大的耐压能力和较低的功率损耗,能够在恶劣环境中提供稳定的性能。

例如,TSM4N80CZ C0-VB 可用于电机驱动器和电力设备的开关控制,尤其在变频驱动(VFD)和电机控制系统中,提供精确和高效的电力调节。

**5. 高压负载开关**
由于其高电压承载能力和低导通电阻,TSM4N80CZ C0-VB 非常适合用于高压负载开关应用。在这种应用中,MOSFET用于实现快速的电流切换,同时确保低功耗和低热量产生。

例如,在工业自动化系统中,TSM4N80CZ C0-VB可作为高压负载开关,在各类电力设备中切换电源路径。

**总结**
TSM4N80CZ C0-VB 是一款高压N型MOSFET,适用于电源管理、电源转换、逆变器、电机控制和高压负载开关等领域。其850V的VDS和4A的ID使其能够在高电压、大功率应用中提供稳定的性能,而低导通电阻和高耐压能力使其在这些应用中具有较高的能效和长时间可靠的工作寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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