产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
6.8/6.0A |
|
|
22mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
6.8/6.0A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
6.8/6.0A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-N+N |
|
|
|
|
|
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|
2. 详细的参数说明:
- **型号**:TSM4936DCS-VB
- **封装类型**:SOP8
- **配置**:双通道N+N-Channel MOSFET
- **耐压(VDS)**:30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **门极阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- **26mΩ** @ VGS = 4.5V
- **22mΩ** @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:
- **6.8A**(N-Channel1)
- **6.0A**(N-Channel2)
- **最大功率耗散(Pd)**:1.5W
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **最大脉冲电流(IDM)**:约为20A
- **输入电容(Ciss)**:约为1500pF
- **输出电容(Coss)**:约为250pF
- **反向恢复时间(Trr)**:约为50ns
- **技术类型**:Trench技术
- **典型开关特性**:快速开关,低能量损失
领域和模块应用:
3. 应用领域及模块示例:
**TSM4936DCS-VB** 作为一款**双通道N+N-Channel MOSFET**,具有优异的开关性能和低导通电阻,广泛应用于多个领域。以下是该产品的典型应用领域:
# **电源管理**
在**电源管理系统**中,**TSM4936DCS-VB** 作为电源开关或DC-DC转换器的开关元件,帮助控制电流的流动并提高电源转换效率。由于其低导通电阻,能够减少由于开关导通造成的功率损失,特别适用于低功耗电池供电设备、便携式电子设备等电源系统中,提升电源的整体效率和稳定性。
# **工业自动化**
在**工业自动化系统**中,尤其是在**PLC(可编程逻辑控制器)**和**机器人控制系统**中,**TSM4936DCS-VB** 可以作为开关控制元件,用于控制电动机、传感器或执行器的电源开关。该MOSFET能够承受高电流负载,并通过快速的开关响应和低功率损耗提升系统效率,适用于高效能的自动化生产线和控制系统。
# **汽车电子**
在**汽车电子系统**,尤其是**电动汽车(EV)**和**混合动力汽车(HEV)**的电池管理系统(BMS)中,**TSM4936DCS-VB** 可作为电池组之间的开关元件,帮助高效控制电池电流流动,并确保电池系统的健康和长寿命。该MOSFET在高效电源管理和电动汽车的电池保护中具有重要应用。
**总结**:
**TSM4936DCS-VB** 是一款双通道N+N-Channel MOSFET,具有低导通电阻和高效开关特性,适用于多种电源管理、负载控制、LED驱动、通信设备、工业自动化、汽车电子等应用。其低导通电阻使其在电源系统、负载控制等低功耗应用中表现出色,有助于提高整体系统的效率和稳定性,特别适用于要求低功耗和高效能的便携设备、充电管理、LED照明和电池管理系统等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性