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TSM210N06CZ-VB 产品详细

产品简介:

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TSM210N06CZ-VB是一款高性能N沟MOSFET,采用TO220封装,专为大功率、高效率应用设计。该MOSFET的VDS为60V,适合用于中压电源系统。其独特的Trench技术使得该器件在导通时具有极低的RDS(ON),在VGS=10V时仅为3mΩ,从而有效减少功率损耗并提高整体效率。TSM210N06CZ-VB的ID高达210A,能够承受大电流,适用于要求高电流、大功率的应用场合。此外,其Vth为3V,能够在较低的门极电压下实现可靠的开关操作,确保系统的高效稳定工作。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 210A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 210A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 210A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
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- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **VDS**: 60V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 3V
- **RDS(ON)**: 9mΩ @ VGS=4.5V
- **RDS(ON)**: 3mΩ @ VGS=10V
- **ID**: 210A
- **技术**: Trench

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领域和模块应用:

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1. **高效电源管理**:TSM210N06CZ-VB广泛应用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,尤其在大功率电源管理系统中表现优异。由于其极低的RDS(ON)值和高电流承载能力,该MOSFET能够降低电源转换过程中的能量损耗,提高系统整体效率。
2. **电动汽车(EV)**:该MOSFET非常适合电动汽车电池管理系统(BMS)和电机驱动系统。凭借高达210A的电流能力,它可以处理电池充放电过程中的大电流负载,同时保证驱动系统的高效能和稳定性。
3. **工业自动化控制**:在工业自动化和电机控制系统中,TSM210N06CZ-VB能够承载较高的电流,适用于大功率马达驱动、伺服电机控制和自动化生产线。其低导通电阻特性使其成为高效电机控制系统的理想选择。
4. **太阳能逆变器**:TSM210N06CZ-VB还广泛应用于太阳能逆变器中,将光伏电池的直流电转换为交流电。其高电流处理能力和低导通损耗使其能够提供高效稳定的电力转换,提高系统效率并确保长时间的可靠运行。
5. **UPS(不间断电源)系统**:在UPS电源系统中,该MOSFET可以稳定地管理高电流流动,确保系统在电源中断时能够提供稳定的备用电源。其低RDS(ON)特性有助于减少损耗,提高系统的可靠性和效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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