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TSM080N03PQ56-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**TSM080N03PQ56-VB** 是一款高性能的单N通道MOSFET,采用DFN8(5x6)封装。该器件具有低R_DS(on)和高电流承载能力,适用于对低电压驱动和高效能有严格要求的应用。其工作电压(VDS)为30V,具有卓越的开关性能,特别是在低V_GS下保持稳定的R_DS(on),使其在低功耗设备中表现出色。该MOSFET采用了**Trench技术**,有效降低了导通电阻,从而提升了整体的效率和性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
详细参数说明

- **型号**:TSM080N03PQ56-VB
- **封装**:DFN8(5x6)
- **配置**:单N通道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 9mΩ(VGS=4.5V)
- 7mΩ(VGS=10V)
- **最大漏电流(ID)**:80A
- **技术**:Trench技术

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

1. **电源管理系统**:
TSM080N03PQ56-VB 在高效电源管理中广泛应用,尤其适合于低电压的DC-DC转换器、步进电源、逆变器等。这款MOSFET能够在较低V_GS下提供极低的R_DS(on),因此可减少导通损失,提高系统效率。适用于便携式设备、嵌入式电源和其他功率敏感型电源模块。

2. **电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)**:
在电动汽车的电池管理系统(BMS)中,TSM080N03PQ56-VB能够有效处理大电流的切换要求,适用于高效能的电池充放电过程。在电动汽车的逆变器、驱动电路及充电管理系统中,这款MOSFET也能够提供更好的控制与稳定性,减少热量产生,提升能效。

3. **工业自动化**:
TSM080N03PQ56-VB在工业设备中,如电机驱动、变频器、自动化控制系统等场景中,可以用于高电流开关,确保稳定的电流传输并提高系统的总体效率。特别是在电动工具、机器人、自动化装置中,能效和可靠性至关重要。

4. **消费电子**:
由于其低导通电阻和高电流能力,TSM080N03PQ56-VB广泛应用于各类消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。其优异的开关特性有助于提高电池的使用寿命,并降低系统能耗,提升整体用户体验。

5. **LED驱动电路**:
在LED驱动电源中,TSM080N03PQ56-VB能够有效地处理高频率的开关,适应不同的电流负载要求,同时保证较低的导通电阻,确保高效率驱动LED,减少功率损耗。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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