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T1606L-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**T1606L-VB**是一款具有TO220封装的单极N沟MOSFET,采用先进的Trench技术,提供出色的导通性能和低内阻特性。其最大漏源电压(VDS)为60V,能够承受±20V的栅源电压(VGS),并具有3V的阈值电压(Vth)。该MOSFET在栅电压为4.5V时的导通电阻(RDS(ON))为9mΩ,在栅电压为10V时的RDS(ON)降低至3mΩ,确保了极低的功耗和高效能。其最大漏极电流(ID)可达到210A,使其在高电流应用中表现优异。凭借其低RDS(ON)和高ID能力,T1606L-VB适用于要求高功率和低损耗的应用领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 210A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 210A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 210A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单极N沟
- **最大漏源电压(VDS)**:60V
- **最大栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 9mΩ(在VGS=4.5V时)
- 3mΩ(在VGS=10V时)
- **最大漏极电流(ID)**:210A
- **技术类型**:Trench技术

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **电源管理系统**
T1606L-VB由于其超低的RDS(ON)特性和高电流能力,广泛应用于电源管理系统中,尤其是在高效电源转换器和DC-DC变换器中。其低功耗特性能显著降低整体功率损失,提升系统的效率和稳定性。

2. **电动汽车(EV)和电池管理系统(BMS)**
在电动汽车和BMS应用中,T1606L-VB可以作为高效的开关元件使用,控制电池的充电和放电过程。其高电流承载能力适应了电动汽车中对大电流、高功率的需求,确保系统高效稳定运行。

3. **高功率开关电源(SMPS)**
T1606L-VB适用于高功率开关电源,如交流到直流(AC-DC)电源模块、逆变器等。由于其低导通电阻和高电流能力,能够在这些应用中减少能量损失和提高转换效率。

4. **工业控制和机器人技术**
在工业控制系统和机器人驱动电路中,T1606L-VB可用于高功率开关应用,如驱动电机、控制负载和实现快速开关操作。其高耐压和低RDS(ON)使其在这些要求高性能的场景中非常适用。

5. **消费电子产品**
由于其高导电性和稳定的性能,T1606L-VB也可用于消费类电子产品中的电源模块,特别是需要高效能和低功耗的应用,如智能手机、笔记本电脑及其他便携式电子设备中的电池管理和电源转换部分。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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