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SW30N04V-VB 产品详细

产品简介:

1. **产品简介:**

**SW30N04V-VB** 是一款采用 SOP8 封装的单 N 沟道 MOSFET,专为低电压和高电流应用设计,具有 40V 的漏源电压(V_DS),最大漏电流可达 36A。此款 MOSFET 基于 Trench 技术,具有超低的导通电阻(R_DS(ON)),其 R_DS(ON) 值在 4.5V 栅极电压下为 3mΩ,在 10V 栅极电压下则进一步降低至 2mΩ。该 MOSFET 具备广泛的应用范围,适用于需要高开关效率和高电流处理能力的电源模块、电动工具以及其他功率控制电路。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 40V 3V 36A 2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 40V 3V 36A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 40V 3V 36A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
2. **详细参数说明:**

- **封装类型:** SOP8
- **配置:** 单 N 沟道(Single-N-Channel)
- **最大漏源电压(V_DS):** 40V
- **栅极源极电压(V_GS):** ±20V
- **阈值电压(V_th):** 3V
- **导通电阻(R_DS(ON)):**
- 3mΩ(V_GS = 4.5V)
- 2mΩ(V_GS = 10V)
- **最大漏电流(I_D):** 36A
- **技术:** Trench 技术

领域和模块应用:

3. **应用领域与模块示例:**

**DC-DC 电源转换器:**
SW30N04V-VB 在 DC-DC 电源转换器中有着广泛的应用。由于其超低的导通电阻,在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗,显著提高转换效率。这使得它非常适合用于高效的电源设计,特别是在需要高功率密度和高效能的便携式电子产品、计算机电源、LED 驱动电源等领域。

**电动工具与电池管理系统:**
该 MOSFET 也非常适合用于电动工具和电池管理系统(BMS)。在电动工具中,它能够高效控制电机驱动电流,确保电池和电动工具之间的功率流动稳定且高效。在 BMS 中,它能够有效地进行充电和放电过程控制,特别是对于大电流的快速充电和放电应用,低导通电阻有助于减少热量产生,提升电池的安全性和效率。

**高效电动驱动系统:**
在电动汽车、无人机等电动驱动系统中,SW30N04V-VB 可作为开关元件,支持高效的电流控制。由于其出色的导通特性,它能够在较低的功耗下提供大电流,尤其在高负载条件下保持高效运行,减少能源浪费,并提升系统整体的运行时间和性能。

**高功率 LED 驱动:**
对于高功率 LED 驱动应用,SW30N04V-VB 的低导通电阻和高电流能力使其成为理想选择。在 LED 驱动电源中,这款 MOSFET 可以有效控制电流的流动,确保 LED 模块的稳定和高效工作,特别是在要求较高电流和功率输出的场景中,如大功率照明、汽车照明和舞台照明等应用。

通过这些应用,SW30N04V-VB 提供了高效、高电流处理能力和低功率损耗,满足各种功率密集型电源管理和驱动模块的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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