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SVD3N80T-VB 产品详细

产品简介:

SVD3N80T-VB MOSFET 产品简介

**型号:** SVD3N80T-VB
**封装类型:** TO220
**配置:** 单极性N沟道(Single-N-Channel)
**最大漏源电压(VDS):** 850V
**最大栅源电压(VGS):** ±30V
**栅源阈值电压(Vth):** 3.5V
**导通电阻(RDS(ON)):** 2700mΩ @ VGS = 10V
**最大漏极电流(ID):** 4A
**技术:** Plannar技术

SVD3N80T-VB是一款采用TO220封装的N沟道MOSFET,具备850V的最大漏源电压和4A的最大漏极电流,适用于高电压应用。其栅源阈值电压为3.5V,导通电阻(RDS(ON))为2700mΩ @VGS = 10V,适合用于高压开关电路。在设计中使用了Plannar技术,这种技术能够提供较高的可靠性和稳定性,特别是在高电压和高功率场景下的应用。

该MOSFET的特性使其在功率转换、电源管理、变频器以及工业控制等领域具有广泛的应用潜力。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A 2700mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
SVD3N80T-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型:** TO220
- **配置:** 单极性N沟道(Single-N-Channel)
- **最大漏源电压(VDS):** 850V
- **最大栅源电压(VGS):** ±30V
- **栅源阈值电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 2700mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID):** 4A
- **最大功耗(Pd):** 40W
- **工作温度范围:** -55°C 到 +150°C
- **栅极电荷(Qg):** 60nC
- **驱动电流(Idr):** 10A

该MOSFET的主要特性是其能够在850V的漏源电压下工作,提供4A的漏极电流承载能力,适合在高压和中功率的应用中使用。导通电阻(RDS(ON))为2700mΩ,在较高栅源电压(10V)下表现出较高的开关效率。该MOSFET适用于高电压、低到中功率的开关电路,特别是在功率转换和电源管理应用中。

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领域和模块应用:

SVD3N80T-VB MOSFET 应用领域与模块举例

**1. 电源管理系统(Power Management Systems)**
SVD3N80T-VB MOSFET广泛应用于高压电源管理系统中,尤其是适用于工业电源、开关电源(SMPS)等领域。由于其850V的高漏源电压和较低的导通电阻,该MOSFET可以在高电压条件下有效地进行电源转换。其稳定的开关性能帮助提高电源的效率和可靠性,特别是在需要高压电源的应用中,如电动工具、电力电子设备等。

**2. 变频器(Inverters)**
在变频器和AC/DC转换器中,SVD3N80T-VB MOSFET能够用于控制交流电动机的驱动。其高电压承受能力(850V)使其非常适合用于交流电机的调速和驱动系统中,能够应对不同负载情况下的电压波动,同时保证变频器系统的稳定性。特别适合于中功率和高压的变频器应用,提升电机效率并减少热量损耗。

**3. 高压开关电路(High Voltage Switching Circuits)**
SVD3N80T-VB适用于高压开关电路,如逆变器、电力开关装置等。其850V的最大漏源电压和4A的最大漏极电流使其成为高压开关系统的理想选择。在需要高耐压、低导通电阻的高电压应用中,能够实现高效的电能转换和切换,尤其是在高电流、低功耗的电子系统中具有重要作用。

**4. 电机驱动器(Motor Drivers)**
该MOSFET也适用于电机驱动系统,尤其是用于高电压直流电机和交流电机的驱动。其高电压承载能力和稳定的开关特性使其能够应对电机启动时的高负载和高冲击电流。广泛应用于家用电器、工业自动化系统以及机器人等领域,提供高效能和可靠性。

**5. 太阳能逆变器(Solar Inverters)**
SVD3N80T-VB MOSFET在太阳能发电系统中,特别是在太阳能逆变器中,能够有效地将太阳能板产生的直流电转换为交流电。由于其能够在高电压下稳定工作,并且具备低导通电阻特性,能够提高逆变器的整体转换效率,特别适合光伏发电系统中的大规模应用。

**6. 电池充电器(Battery Chargers)**
SVD3N80T-VB还适用于电池充电器,特别是在高电压、快速充电的场景下。由于其高耐压和优异的开关特性,能够高效地调节电流,实现对大电池组的高效充电,减少充电过程中的能量损失,特别是在需要高电压充电的应用中,如电动汽车、无人机等。

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总结来说,SVD3N80T-VB是一款适用于高电压应用的N沟道MOSFET,特别在高压电源管理、变频器、电机驱动、电池充电器、太阳能逆变器等领域中具有广泛应用。其高电压承载能力、低导通电阻以及优异的开关性能,使其成为高效、可靠的电能转换和控制的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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