SUP85N04-03-E3-VB - VBsemi MOS管制造商

SUP85N04-03-E3-VB 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

：**
SUP85N04-03-E3-VB是一款高性能的N沟MOSFET，采用TO220封装，具有40V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压。该器件的阈值电压（Vth）为2.5V，具备低导通电阻，4.5V栅源电压时的RDS(ON)为7mΩ，10V栅源电压时的RDS(ON)为6mΩ。它最大承载漏极电流为110A，采用Trench技术，在提高开关速度和降低功率损失方面具有显著优势。这使得SUP85N04-03-E3-VB在高功率和高频率的电子应用中表现出色，尤其适用于需要高效能和高电流处理的场合。

**

文件下载

下载PDF 文档

立即下载

点击查看大图

产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	40V		2.5V	110A			6mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	40V		2.5V	110A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	40V		2.5V	110A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

：**
- **封装形式：** TO220
- **配置：** 单极N沟
- **漏源电压（VDS）：** 40V
- **栅源电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 2.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 4.5V栅源电压时：7mΩ
- 10V栅源电压时：6mΩ
- **最大漏极电流（ID）：** 110A
- **技术类型：** Trench技术

**

领域和模块应用：

：**
SUP85N04-03-E3-VB因其高电流承载能力、低导通电阻和良好的开关性能，广泛应用于以下领域：

1. **电源管理：** 该MOSFET非常适合用于高效的电源转换器，如DC-DC变换器、AC-DC电源模块等，尤其是在要求高效和低功率损耗的应用场景中，能显著提升系统效率。

2. **电池管理系统（BMS）：** 在电动工具、电动汽车和可再生能源（如太阳能电池板）系统中，SUP85N04-03-E3-VB可用于优化电池充放电控制，确保系统的稳定性和长期可靠性。

3. **电动汽车驱动系统：** 由于其高电流能力，该MOSFET在电动汽车驱动系统中有着广泛应用，尤其在高功率电机驱动模块中，能有效降低损耗，提高车辆的续航能力和性能。

4. **工业自动化：** 在工业电源、伺服驱动和开关电源等领域，该MOSFET能够承受高负载，提供精准的电流控制和高效的功率转换，帮助实现精密的工业控制系统。

5. **消费电子：** 由于其高效能，SUP85N04-03-E3-VB还可用于各种消费电子产品中的电源管理模块，优化设备的能效，延长电池寿命，特别适用于便携式设备和电池供电的电子产品。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

推广型号

SUP85N04-03-E3-VB 产品详细

产品简介：

文件下载

下载PDF 文档

产品参数：

领域和模块应用：

技术支持：

打样申请

QQ咨询

电话咨询

微信咨询

一键置顶