产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-P |
-60V |
|
-2.5V |
-90A |
|
|
8.2mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-P |
-60V |
|
-2.5V |
-90A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-P |
-60V |
|
-2.5V |
-90A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| TO220 |
Single-P |
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SUP75P05-08-E3-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型:** TO220
- **配置:** 单极性P沟道
- **最大漏极-源极电压(VDS):** -60V
- **最大栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **栅源阈值电压(Vth):** -2.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 9.9mΩ @ VGS = 4.5V
- 8.2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID):** -90A
- **最大功耗(Pd):** 150W
- **工作温度范围:** -55°C 到 +150°C
- **栅极电荷(Qg):** 140nC
- **驱动电流(Idr):** 40A
该MOSFET采用了Trench技术,能够提供低导通电阻和高电流承载能力,适合在高频、高功率应用中使用。其低RDS(ON)值表示其开关效率极高,能够有效减少能量损失和热量积累。
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领域和模块应用:
SUP75P05-08-E3-VB MOSFET 应用领域与模块举例
**1. 电源管理系统(Power Management Systems)**
SUP75P05-08-E3-VB MOSFET由于其高效率和低导通电阻,广泛用于电源管理系统中,特别是开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。其能够承受较高的电流和电压,适用于对能源效率要求较高的应用,如服务器电源、通信设备和工业控制系统中的电源模块。
**2. 电动汽车(Electric Vehicles)**
在电动汽车中,SUP75P05-08-E3-VB MOSFET常用于电池管理系统(BMS)以及电动驱动系统中。它能够在电池充电和放电过程中提供低损耗的功率转换,帮助提升电动汽车的续航里程和电池使用寿命。
**3. 高功率开关控制(High-Power Switching Control)**
该MOSFET也适用于大功率开关控制应用,比如电机驱动器、伺服控制系统等。它能够提供高达-90A的漏极电流,适合用于要求高电流切换的应用,例如工业机器人、电动工具、电梯控制系统等。
**4. 逆变器和太阳能系统(Inverters and Solar Power Systems)**
SUP75P05-08-E3-VB也适合应用于太阳能逆变器系统中,在转换直流电为交流电的过程中,该MOSFET提供高效的开关操作,能够提高逆变器的总体效率,特别是在高功率输出需求的场景下。
**5. 电池充电器(Battery Chargers)**
它的低RDS(ON)特性使其成为高效电池充电器的理想选择,能够在充电过程中提供快速且温控合适的电流,延长电池寿命并提高充电效率。
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这些应用都展示了SUP75P05-08-E3-VB MOSFET在多个高电流、高效能的应用领域中的重要作用,能够满足现代电子系统对高效能和低能量损耗的严格要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性