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SUP33N20-60P-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**SUP33N20-60P-VB** 是一款高性能单N沟道功率MOSFET,采用TO220封装,专为中高压电源开关应用设计。其最大漏源电压(VDS)为200V,适用于中等电压的功率转换和电源管理。该MOSFET的导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为46mΩ,能够有效降低导通损耗,提高系统效率。最大漏电流(ID)为50A,提供了强大的电流承载能力,适用于中等电流负载的高效电源和开关应用。SUP33N20-60P-VB采用了Trench技术,具备较好的开关特性和稳定性,特别适用于电动工具、电池管理、电源转换等多个领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A 46mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

| 参数 | 说明 |
|-----------------|---------------------------------------|
| **型号** | SUP33N20-60P-VB |
| **封装** | TO220 |
| **配置** | 单N沟道MOSFET(Single-N-Channel) |
| **VDS** | 200V |
| **VGS** | ±20V |
| **Vth** | 3V |
| **RDS(ON)** | 46mΩ @ VGS = 10V |
| **ID** | 50A |
| **技术** | Trench技术 |

领域和模块应用:

应用领域与模块

1. **DC-DC转换器**
SUP33N20-60P-VB非常适用于DC-DC转换器,尤其是在需要200V输入电压的应用中。其较低的RDS(ON)能够有效降低转换过程中的损耗,并提高整体效率。该MOSFET能稳定地在高电流负载下运行,适用于高效电源转换系统。

2. **电池管理系统(BMS)**
在电池管理系统中,SUP33N20-60P-VB能够提供稳定的电流控制和电压调节,适用于电池充放电管理。其高达50A的漏电流能力,能够支持大电流的电池充放电应用,确保电池组在工作中的稳定性和安全性。

3. **电动工具**
由于该MOSFET具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,它非常适合用于电动工具中,如电钻、电锯等。这些工具需要高效的功率开关,以确保设备能够稳定运行并保持较低的热损耗。

4. **开关电源(SMPS)**
在开关电源系统中,SUP33N20-60P-VB可以作为主要开关元件,尤其是在需要承受200V输入电压的中等功率电源设计中。其低RDS(ON)和高电流承载能力使其成为高效电源设计的理想选择,适用于消费电子、通信设备等领域。

5. **工业电源和电力控制**
由于其稳定性和较高的电流承载能力,SUP33N20-60P-VB适用于工业电源系统和电力控制模块。它能够在较高电压和大电流负载的环境下稳定工作,广泛应用于伺服电机控制、电力调节系统等工业自动化设备。

6. **电动汽车(EV)充电系统**
SUP33N20-60P-VB也适用于电动汽车的电池充电系统,在该系统中需要承受较高电压和电流负载。该MOSFET能够提供高效的电力转换,确保充电过程中的高效能和低热损耗。

7. **电源模块和LED驱动器**
在LED照明和其他电源模块中,SUP33N20-60P-VB能够提供高效的开关控制,适用于高压输入和低功耗输出的电源系统,能够在各种环境下提供可靠的电源稳定性。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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