推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

STP21NM60ND-VB 产品详细

产品简介:

**

STP21NM60ND-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO220 封装,基于 SJ_Multi-EPI 技术设计,具有 650V 的耐压(VDS)和 20A 的最大漏电流(ID)。该 MOSFET 的导通电阻低至 160mΩ @ VGS = 10V,能够有效降低开关损耗和热损失,保证电力系统的高效能运行。STP21NM60ND-VB 特别适用于需要高耐压、大电流处理能力且对功率损耗有严格要求的应用,如开关电源、逆变器、DC-DC 转换器等。由于其卓越的性能,它广泛应用于电力电子设备、能源管理、工业自动化以及电动交通工具等领域。

**STP21NM60ND-VB MOSFET

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
**

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单极 N 通道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **门源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:160mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流(ID)**:20A
- **技术**:SJ_Multi-EPI 技术
- **开关特性**:STP21NM60ND-VB 的低导通电阻(RDS(ON))特性确保其在高电流下高效工作,减少系统中的热损失,提高系统的整体效率。
- **功率损耗**:由于其低 RDS(ON),该 MOSFET 在工作时产生的功率损耗较小,有利于提高系统的整体性能和减少散热需求,特别适合高效能的电力电子系统。

**STP21NM60ND-VB MOSFET

领域和模块应用:

**

1. **开关电源(SMPS)**
STP21NM60ND-VB 适用于开关电源(SMPS)设计中的各类电源模块,特别是在高效 AC-DC 或 DC-DC 转换器中。其650V的耐压和20A的电流处理能力使其适合于大功率电源应用。低 RDS(ON) 值和高效开关特性减少了功率损失和发热,有助于提升电源的效率和可靠性,广泛应用于工业电源、计算机电源和通信电源等领域。

2. **逆变器(Inverters)**
由于其高耐压(650V)和大电流(20A)特性,STP21NM60ND-VB 在逆变器系统中应用非常广泛。它特别适用于太阳能逆变器、电动汽车逆变器以及其他要求高效率、高电流的逆变器模块。STP21NM60ND-VB 能有效转换直流电压到交流电压,同时保证系统的稳定性和高效能运行,是电力转换系统中的关键元件。

3. **DC-DC 转换器**
在高效能电源管理系统中,STP21NM60ND-VB 可广泛用于 DC-DC 转换器模块,提供稳定的电压调节和高效的能量转换。该 MOSFET 可在低开关损耗的情况下处理较高的电流,使得电源系统的效率得到大幅度提升。适用于各种电池供电设备、移动设备充电器、工业电源模块等。

4. **电动交通工具(EV/HEV)**
由于其大电流和高耐压特性,STP21NM60ND-VB 适用于电动交通工具(EV/HEV)中的电池管理系统(BMS)和电动驱动系统。在电动汽车或混合动力车的电池充电与放电过程中,STP21NM60ND-VB 能保证高效电能转化,确保驱动电机的稳定运行,减少能量损失并延长电池寿命。

5. **电力管理系统(Power Management)**
STP21NM60ND-VB 在高效电力管理系统中有着广泛应用,尤其是在 UPS(不间断电源)系统、电池充电器、能量存储和转换系统中。由于其低导通电阻和出色的开关特性,它能够有效提升电力管理系统的效率,降低热损耗,确保稳定运行和较长使用寿命。

**总结**

STP21NM60ND-VB 是一款采用 SJ_Multi-EPI 技术的高性能 N 通道 MOSFET,具有 650V 的耐压、160mΩ 的导通电阻和 20A 的最大漏电流,适用于高效电力转换系统。其低导通电阻和高效开关特性使其在开关电源、逆变器、DC-DC 转换器、电动交通工具和电力管理系统中表现出色。它广泛应用于能源、工业、电动交通工具等领域,是现代高效电力电子系统中的重要组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询