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STP19NM50N-VB 产品详细

产品简介:

1. 产品简介

STP19NM50N-VB 是一款高性能的单 N-Channel MOSFET,采用 TO220 封装,具备优异的高耐压和大电流处理能力,最大漏极到源极电压(VDS)为 650V,最大漏极电流(ID)为 20A。该 MOSFET 基于 SJ_Multi-EPI 技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON) = 160mΩ @ VGS = 10V),在高效开关应用中表现出色。STP19NM50N-VB 广泛应用于电力转换、电源管理、电动机驱动和工业自动化等领域,特别适合需要高电压、大电流和高效能转换的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
2. 详细参数说明

- **型号**: STP19NM50N-VB
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单 N-Channel
- **最大漏极到源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极到源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 160mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:


### 3. 适用领域与模块

#### 1. **开关电源与电源管理**
STP19NM50N-VB 在高效开关电源(SMPS)中有广泛应用,特别是在需要承受高电压和大电流的电源转换系统中。其高耐压(650V)和低导通电阻(160mΩ)使其能够在电源模块中提供优异的开关性能,减少能量损耗并提高转换效率。特别适合用于电力因数校正(PFC)模块和大功率直流-交流(DC-AC)逆变器等领域。

#### 2. **电动机驱动与控制**
在电动机驱动系统中,STP19NM50N-VB 可用于驱动各种类型的电动机,包括交流电动机(AC)和直流电动机(DC)。由于其承载大电流的能力,该 MOSFET 可以高效控制电动机的启动、停止和调速过程,广泛应用于工业自动化设备、电动工具、电动车及家电产品中。其高耐压特性使其适合用于高电压电动机驱动系统中。

#### 3. **太阳能逆变器**
STP19NM50N-VB 适用于太阳能发电系统中的逆变器部分。在太阳能逆变器中,MOSFET 需要处理高电压(如 650V),并且在高频开关操作中保持较低的损耗。这款 MOSFET 的低导通电阻特性使其非常适合用于光伏发电系统中的直流-交流(DC-AC)转换。

#### 4. **工业自动化与电力电子**
在工业自动化和电力电子系统中,STP19NM50N-VB 可用于高效的功率转换和电能管理应用。特别适合用在高电压的电力控制模块、变频器和电力调节系统中。这些领域通常需要能够承受高电压和高电流的 MOSFET,以确保系统的稳定性和可靠性。

#### 5. **UPS(不间断电源)系统**
UPS 系统常用于保护电力设备免受停电和电压波动的影响。STP19NM50N-VB 的高耐压和大电流处理能力使其非常适合用于 UPS 电源的开关电路中。它能够有效地转换和调节电源,同时提高系统效率,确保设备在电力中断时能够稳定运行。

#### 6. **电池管理系统(BMS)**
STP19NM50N-VB 在电池管理系统中也有重要应用,尤其是在电动汽车(EV)和储能系统(ESS)中。MOSFET 能够高效地控制电池的充放电过程,在高电压和大电流条件下保证系统的稳定运行。其良好的导通特性有助于提高能效和延长系统使用寿命。

#### 7. **功率放大器**
在需要高功率输出的应用中,STP19NM50N-VB 也适用于功率放大器(PA)模块,尤其是射频功率放大器和音频功率放大器。MOSFET 能够有效驱动大功率负载,并保证系统的高效能传输和较低的热量损耗。

#### 8. **高频电源**
STP19NM50N-VB 由于其高耐压特性和较低的导通电阻,非常适合用于高频电源系统中。这类系统通常用于通信、医疗设备和其他高频应用中,能够有效降低能量损耗并提供更高的转换效率。

### 总结

STP19NM50N-VB 是一款高耐压、高电流的单 N-Channel MOSFET,适用于多种电力电子和高功率应用。凭借其650V 的最大耐压、160mΩ 的低导通电阻和 20A 的最大电流承载能力,它在开关电源、电动机驱动、太阳能逆变器、电池管理系统等领域展现出强大的应用优势。无论是高电压大电流的电力转换,还是高效的电能管理,STP19NM50N-VB 都能提供稳定的性能,帮助用户提高系统效率并延长设备使用寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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