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STK830P-VB 产品详细

产品简介:

1. **产品简介:**

STK830P-VB 是一款 **单极 N 型 MOSFET**,封装形式为 **TO220**,具有 **600V 的漏源电压(VDS)** 和 **最大 8A 的漏极电流(ID)**。它采用了 **Plannar 技术**,具备较低的 **导通电阻(RDS(ON))**,分别为 **780mΩ @ VGS = 10V** 和 **1070mΩ @ VGS = 4.5V**,适合高电压应用中需要高效开关控制的场合。该 MOSFET 的 **阈值电压(Vth)** 为 **3.5V**,并且 **栅源电压(VGS)** 为 ±30V,可以满足较高电压下的高频开关应用,特别适用于中高功率电源管理、电机控制、LED 驱动等领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
2. **详细参数说明:**

- **封装(Package):** TO220
- **配置(Configuration):** 单极 N 型(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS):** 600V
- **栅源电压(VGS):** ±30V
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 1070mΩ @ VGS = 4.5V
- 780mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID):** 8A
- **技术(Technology):** Plannar

领域和模块应用:

3. **应用领域与模块示例:**

#### **1. 高电压电源开关:**
STK830P-VB 的 **600V 的漏源电压(VDS)** 使其成为 **高电压电源开关** 的理想选择,尤其适用于 **开关电源(SMPS)**、 **变频器** 和 **DC-DC 转换器** 等应用。在这些高电压电源模块中,STK830P-VB 能够有效控制电流流动,减少能量损耗,同时提供稳定可靠的电源转换。

#### **2. 电机控制系统:**
在 **电机驱动电路** 中,STK830P-VB 可以用作 **电机控制开关**,特别是在中等功率的 **电动工具**、 **家电电机** 或 **伺服电机控制系统** 中。其 **低导通电阻** 和 **高电压承受能力** 使其在频繁开关的环境下能够有效控制电流,优化电机的启动、停止和调速过程。

#### **3. LED 驱动电路:**
STK830P-VB 同样适用于 **高功率 LED 驱动电路**,在 **LED 照明系统** 中担任开关元件角色。其低导通电阻和高电流承载能力能够确保稳定的电流供应,提升 LED 灯具的效率和寿命。

#### **4. 电池管理与充电系统:**
在 **电池管理系统(BMS)** 和 **充电器设计中**,STK830P-VB 可作为电池开关和保护元件,尤其适用于 **锂电池充电** 或 **电池充放电保护** 电路。它能在高电压下稳定工作,保护电池免受过压、过流等异常情况的损害。

#### **5. 高电压开关电路:**
在一些需要较高电压控制的工业应用中,如 **高压电源管理系统** 或 **逆变器**,STK830P-VB 可作为开关控制元件。其高电压承受能力(**600V**)和稳定的开关性能使其成为这些领域的理想选择。

#### **6. 电力电子系统:**
该 MOSFET 还广泛应用于 **电力电子设备**,如 **太阳能逆变器** 和 **UPS(不间断电源)** 中,尤其是在对高电压和较大电流有需求的场合。其高电压和低导通电阻特性使其能够在电力电子系统中提供高效、稳定的电流调控。

### 总结:

STK830P-VB 是一款 **高电压、低导通电阻** 的 N 型 MOSFET,适用于 **高电压电源开关、电机控制、LED 驱动、电池管理和电力电子系统** 等应用。其 **600V 的漏源电压**、 **8A 的最大漏极电流** 以及低 **导通电阻(RDS(ON))** 和 **3.5V 的阈值电压(Vth)** 特性,使其成为中高功率电源管理和控制电路中的重要组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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