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SSP65R700S-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**SSP65R700S-VB**是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO-220封装,设计专注于中高压功率转换的高效性能和可靠性。该器件具有650V的漏源电压(VDS)和±30V的栅源电压(VGS),结合了先进的超级结(SJ)多重外延工艺技术,提供低导通电阻和较高的电流能力。其700mΩ的导通电阻(@VGS=10V)和7A的额定漏极电流(ID)使其成为各种高效功率电子应用的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 7A 700mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 7A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 7A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
参数说明

| **参数** | **数值** | **说明** |
|-------------------------|---------------------------|--------------------------------------------------------------------------|
| **封装类型** | TO-220 | 标准的直插式封装,便于散热和大电流应用。 |
| **配置** | 单N沟道 | 单个MOSFET晶体管,便于独立应用。 |
| **漏源电压(VDS)** | 650V | 支持高电压操作,适用于开关电源等高压场合。 |
| **栅源电压(VGS)** | ±30V | 提供较高的栅极耐压,增强设备的可靠性。 |
| **阈值电压(Vth)** | 3.5V | 栅极开启所需电压,适用于广泛的驱动电路设计。 |
| **导通电阻(RDS(ON))** | 700mΩ (@VGS=10V) | 在满栅压下提供较低的导通损耗,提升效率。 |
| **漏极电流(ID)** | 7A | 满足中等电流需求,适配多种功率应用。 |
| **技术** | SJ_Multi-EPI | 超级结结构与多重外延技术结合,提供高效率和低热损耗性能。 |

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领域和模块应用:

适用领域与模块举例

1. **开关电源(Switching Power Supplies)**
SSP65R700S-VB适用于高效开关电源的主功率开关器件,例如工业电源模块、服务器电源和LED驱动电源。其高耐压特性和低导通电阻确保了高功率密度和高效率的运行。

2. **光伏逆变器(Solar Inverters)**
在光伏逆变器中,该MOSFET可以用作直流/交流转换电路的核心开关元件。其高电压能力满足太阳能模块的电压需求,同时降低能量损耗。

3. **电机驱动控制(Motor Drives)**
在工业电机驱动和家用电器中,可用于逆变器电路,提供可靠的高压开关性能,保证电机启动和运行的稳定性。

4. **UPS不间断电源(Uninterruptible Power Supplies)**
在UPS模块中,用作高压开关元件,提高供电转换效率,保障电源可靠性,特别是在对稳压要求较高的应用中。

5. **消费电子与家电(Consumer Electronics and Appliances)**
应用于电视机电源、空调和冰箱等需要高效电压转换和控制的场景中。

此型号结合了高耐压、低导通损耗以及良好的热性能,适配于多种高效能量转换场合。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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