产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P |
-30V |
|
-1.7V |
-8A |
|
|
21mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P |
-30V |
|
-1.7V |
-8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P |
-30V |
|
-1.7V |
-8A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-P+P |
|
|
|
|
|
|
|
2. 详细参数说明
| **参数** | **说明** |
|---------------------|---------------------------------------------|
| **型号** | SSG4935P-VB |
| **封装** | SOP8 |
| **配置** | 双 P-沟道 (Dual-P+P-Channel) |
| **最大漏源电压 (V_DS)** | -30V |
| **最大栅源电压 (V_GS)** | ±12V |
| **开启电压 (V_th)** | -1.7V |
| **导通电阻 (R_DS(ON))** | 28mΩ (V_GS = 4.5V) / 21mΩ (V_GS = 10V) |
| **最大漏极电流 (I_D)** | -8A |
| **技术** | Trench 技术 |
| **最大功率耗散 (P_d)** | 100W |
| **栅极电荷 (Qg)** | 20nC(典型) |
**温度特性:**
- 工作温度范围:-55°C 至 150°C
- 存储温度范围:-55°C 至 150°C
领域和模块应用:
3. 应用领域和模块举例
**a. 电源管理系统**
**SSG4935P-VB** 适用于 **电源管理系统** 中的开关电流控制,尤其是在需要双极性电流流动的场合。其低导通电阻和高效能使其成为 DC-DC 转换器、电源适配器和充电器中的理想开关元件。通过低功耗的开关,能够提高整个电源系统的效率,减少热损耗。
例如,在 **电池充电管理** 电路中,**SSG4935P-VB** 可作为电池的充电和放电开关元件,精确控制电池电流的方向和大小,确保电池在安全和高效的工作状态下充放电。
**b. 电动驱动系统**
在 **电动驱动系统** 中,**SSG4935P-VB** 可作为电动机控制电流的开关元件,提供精确的电流方向调节。其高电流承载能力使其特别适合用于电动机控制系统中,在电动工具、电动交通工具等设备中,可以确保电流的流动和电动机的稳定运行。
例如,在 **电动交通工具** 的驱动系统中,**SSG4935P-VB** 可作为电机的双向开关,控制电动机的正反转,优化电动机驱动的效率,减少功率损失。
**c. 负载开关**
在 **负载开关** 应用中,**SSG4935P-VB** 作为双 P-沟道 MOSFET 的优点在于其能够同时控制正负电流,适用于切换负载电流的开关电路。由于其低导通电阻,它能够有效降低功率损耗,提高电路效率。
例如,在 **负载保护电路** 中,**SSG4935P-VB** 可以用来控制负载电流的开关,防止过电流导致负载损坏,且能够在需要时实现双向电流流动。
**d. 高效开关电源**
在高效 **开关电源** 中,**SSG4935P-VB** 可用作主开关元件,确保电流的高效切换。其快速开关特性使其适合用于高频工作环境,提供低损耗的开关操作。在高频 DC-DC 转换器中,双 P-沟道设计可用于双向电流切换,减少不必要的能量损失。
例如,在 **AC-DC 转换器** 中,**SSG4935P-VB** 可用作输出电压调节的开关元件,帮助实现高效率的电能转换。
**e. 电池保护电路**
**SSG4935P-VB** 的双 P-沟道 MOSFET 设计特别适合用于 **电池保护电路** 中,能够高效地控制电池充放电电流,确保电池安全使用。该 MOSFET 在电池过充、过放电或短路时提供精准的电流切换,保护电池免受损害。
例如,在 **太阳能储能系统** 中,**SSG4935P-VB** 可作为电池充放电保护电路中的核心元件,优化电池管理,确保电池在安全和高效的工作状态下运行。
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*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性