产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P |
-20V |
|
-1.2V |
-8.9A |
|
|
16mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P |
-20V |
|
-1.2V |
-8.9A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P |
-20V |
|
-1.2V |
-8.9A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-P+P |
|
|
|
|
|
|
|
2. 详细参数说明
| **参数** | **说明** |
|---------------------|---------------------------------------------|
| **型号** | SSG4801-VB |
| **封装** | SOP8 |
| **配置** | 双 P-沟道 (Dual-P-Channel) |
| **最大漏源电压 (V_DS)** | -20V |
| **最大栅源电压 (V_GS)** | ±20V |
| **开启电压 (V_th)** | -1.2V |
| **导通电阻 (R_DS(ON))** | 18mΩ (V_GS = 4.5V) / 16mΩ (V_GS = 10V) |
| **最大漏极电流 (I_D)** | -8.9A |
| **技术** | Trench 技术 |
| **最大功率耗散 (P_d)** | 100W |
| **栅极电荷 (Qg)** | 25nC(典型) |
**温度特性:**
- 工作温度范围:-55°C 至 150°C
- 存储温度范围:-55°C 至 150°C
领域和模块应用:
3. 应用领域和模块举例
**a. 电源管理系统**
**SSG4801-VB** 的双 P-沟道设计使其特别适合用于电源管理系统中的开关电流控制,特别是在需要双极性电流流动的电路中。其低导通电阻确保高效的电流传输,减少了系统的功率损失。在 DC-DC 转换器中,**SSG4801-VB** 可作为高效的开关元件,用于电流调节与电压转换。
例如,在电池充电管理电路中,**SSG4801-VB** 可用作电流方向控制开关,精确调节电池充电电流,确保电池充电的安全性和效率。
**b. 电动驱动与电机控制**
在电动驱动系统中,**SSG4801-VB** 的高电流处理能力使其成为控制电动机驱动电流的理想选择。双 P-沟道设计能够有效地控制电机电流的方向,从而实现电动机的启停和调速。它特别适用于需要正负电流切换的电机控制系统。
例如,在电动工具或电动交通工具的驱动系统中,**SSG4801-VB** 可以作为电机控制的开关元件,帮助实现高效的电机驱动和负载控制。
**c. 负载开关与电流调节**
**SSG4801-VB** 作为双 P-沟道开关元件,能够高效地控制负载电流的开关与方向。由于其低导通电阻特性,它适用于高电流负载切换和电流调节。其双 P-沟道设计使其能在单一封装中实现正负电流的有效控制,减少了系统的复杂性和成本。
例如,在功率放大器电路中,**SSG4801-VB** 可作为负载开关,精确调节负载电流,确保系统在高功率下稳定工作。
**d. 高频开关应用**
**SSG4801-VB** 具有较低的导通电阻和快速开关特性,使其非常适合用于高频开关电路。它可以在高频和高功率应用中提供稳定、高效的电流控制。尤其是在反向电流流动的电路中,双 P-沟道 MOSFET 可以提供更灵活的电流切换。
例如,在高频 DC-AC 逆变器中,**SSG4801-VB** 可用于反向电流控制,优化电流的传输和转换效率。
**e. 电池保护电路**
**SSG4801-VB** 由于其低导通电阻和高电流承载能力,适用于电池保护电路中的电流开关功能。特别是在需要切换电池充电与放电电流方向时,双 P-沟道 MOSFET 的应用可以有效控制电流流向,保护电池免受过充或过放电损害。
例如,在太阳能储能系统中,**SSG4801-VB** 可以作为电池保护电路中的核心元件,用于精确控制充放电过程,从而提高电池的使用寿命和安全性。
---
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性