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SM6128NSQG-VB 产品详细

产品简介:

SM6128NSQG-VB MOSFET 产品简介

SM6128NSQG-VB 是一款单极性 N 沟道 MOSFET,采用 DFN8(3x3) 封装,具有低导通电阻(RDS(ON))和高电流承载能力,适合用于高效电源管理和功率转换领域。该型号具有最大漏源电压(VDS)60V,最大栅源电压(VGS)±20V,门槛电压(Vth)为 3V,能够提供 30A 的最大漏极电流(ID)。它采用了 Trench 技术,具有极低的导通电阻(5mΩ@VGS=10V),能在高频开关和高功率应用中提供高效的性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 60V 3V 30A 5mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 60V 3V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 60V 3V 30A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-N
SM6128NSQG-VB MOSFET 参数说明

| **参数** | **值** |
|------------------------|--------------------|
| **封装** | DFN8 (3x3) |
| **配置** | 单极 N 沟道 (Single N-Channel) |
| **漏极-源极电压(VDS)** | 60V |
| **栅源电压(VGS)** | ±20V |
| **门槛电压(Vth)** | 3V |
| **导通电阻(RDS(ON))@VGS=10V** | 5mΩ |
| **最大漏极电流(ID)** | 30A |
| **技术** | Trench |

领域和模块应用:

适用领域和模块

1. **电源管理与转换应用**
SM6128NSQG-VB 由于其低导通电阻和高电流承载能力,广泛应用于各种电源管理电路中,尤其是高效率的 DC-DC 转换器和电源供应模块。其优秀的开关性能使其适合用于高频率切换的电源应用,减少了功率损耗,提高了系统的整体效率。

2. **电动工具与电机驱动系统**
该 MOSFET 的高电流承载能力和低 RDS(ON) 特性使其在电动工具和电机驱动系统中表现出色。它能够在高负载条件下有效驱动电机,减少能量浪费,并优化驱动电路的热管理。此外,在电动工具中,它也能提高功率密度,优化体积和散热性能。

3. **电池管理系统(BMS)**
在电池管理系统中,SM6128NSQG-VB 的低导通电阻和高效率使其成为理想选择。其能够为电池充放电过程提供精确的电流控制,并在过流保护、过压保护等应用中提供可靠的开关功能。它可以有效延长电池的使用寿命并提高系统的安全性。

4. **通信设备和高效电源模块**
SM6128NSQG-VB 适用于各种通信设备和网络电源模块中的功率转换应用。它能够提供稳定的电流支持,尤其是在需要高电流和高效率的场合,如数据中心电源、通信基站电源等。其小型 DFN8 封装和低电阻特性也使其适合用于紧凑型设备中,满足空间有限的应用需求。

5. **LED 驱动电路**
由于 SM6128NSQG-VB 具备优秀的开关性能和低导通电阻,它在 LED 驱动电路中有着广泛的应用,尤其是在高效能、高密度的 LED 照明系统中。MOSFET 的低损耗特性确保了高亮度和长寿命的 LED 照明设备可以实现更高效、更稳定的运行。

通过这些应用,SM6128NSQG-VB MOSFET 提供了卓越的性能,满足了多种行业中对高效能、低损耗和高电流承载能力的需求,是电源管理、电机驱动、电池管理及各种高效能电源模块中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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