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SM4838NSKC-TRG-VB 产品详细

产品简介:

1. 产品简介

**SM4838NSKC-TRG-VB** 是一款采用 **SOP8** 封装的 **单极N沟MOSFET**,适用于高效电力管理和开关电源等应用。该型号具有30V的 **漏源电压(VDS)**,最大 **栅源电压(VGS)** 为±20V,具有低 **导通电阻(RDS(ON))** 特性,在VGS=4.5V时为11mΩ,在VGS=10V时为8mΩ,确保高电流传输时的最低损耗。此外,其 **阈值电压(Vth)** 为1.7V,具有较好的导通特性,能够支持最大 **漏电流(ID)** 为13A的应用,适用于高频率和高效能的电源转换模块。该MOSFET采用**Trench技术**,保证了其在高功率应用中的稳定性和低导通损耗。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
2. 详细参数说明

- **封装类型**:SOP8
- **配置**:单极N沟MOSFET
- **漏源电压(VDS)**:30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 11mΩ@VGS=4.5V
- 8mΩ@VGS=10V
- **最大漏电流(ID)**:13A
- **技术**:Trench技术

**工作电压**:该MOSFET的最大工作电压为30V,适合低电压电源管理应用。

**导通电阻**:低导通电阻是该MOSFET的一大优势,能够有效减少电流传输过程中的功率损耗。

**阈值电压**:Vth=1.7V意味着该MOSFET在较低的栅电压下就能有效导通,适用于低电压控制环境。

**高漏电流承受能力**:该型号能够承受13A的漏电流,满足高电流应用的需求。

**技术特点**:采用Trench技术,提供低RDS(ON)和高效能,特别适合高频高效率电源应用。

领域和模块应用:

3. 应用领域与模块

**1. 电源管理模块:**
- 该MOSFET因其低导通电阻和高电流承受能力,广泛应用于**电源管理模块**,尤其是在开关电源、DC-DC转换器中作为高效开关元件。它能够有效地降低系统的功率损耗,提高系统的能效。

**2. LED驱动电路:**
- 在**LED驱动电路**中,该MOSFET的低RDS(ON)和高ID特性,使其能够在高电流条件下有效工作,保证LED的亮度稳定,且不会因过多的电力损失而导致驱动电路温升过高。

**3. 负载开关应用:**
- 在**负载开关**应用中,SM4838NSKC-TRG-VB通过其低阈值电压(Vth)和低导通电阻,适用于快速开关操作,能够提供高效的开关控制,并且不会对负载产生过多的电压损耗。

**4. 电动工具与汽车电子:**
- 在**电动工具**和**汽车电子**中,这款MOSFET可作为电动马达驱动电路的一部分。其低RDS(ON)有助于降低驱动过程中的功率损耗,保证电动工具和电动设备的高效运行。

**5. 低电压电源转换:**
- 适用于**低电压电源转换**系统,如3.3V和5V电源转换模块。由于其1.7V的低阈值电压,可以在低电压控制信号下快速开启和关闭,支持快速响应并减少功率损失。

总结来说,SM4838NSKC-TRG-VB的低导通电阻和高漏电流承载能力使其成为高效电源转换、LED驱动、电动工具和汽车电子等多种应用的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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