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SM4502NHKP-VB 产品详细

产品简介:

**产品简介:**
SM4502NHKP-VB 是一款采用 DFN8(5x6)封装的单N沟道MOSFET。该器件采用了先进的Trench技术,具有低导通电阻和高电流承载能力,广泛应用于高效能电源管理、汽车电子、电动工具、智能电池管理系统等领域。它的最大漏源电压(V_DS)为30V,最大栅源电压(V_GS)为±20V,工作阈值电压(V_th)为1.7V,具备低 R_DS(ON)(2.5mΩ@V_GS=4.5V,1.8mΩ@V_GS=10V)以及高达160A的最大电流承载能力。该MOSFET特别适用于高效的电源转换、DC-DC变换器、电流控制和电池管理等高负载应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A 1.8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
**详细参数说明:**

- **型号**:SM4502NHKP-VB
- **封装类型**:DFN8(5x6)
- **配置**:单N沟道(Single-N-Channel)
- **最大漏源电压(V_DS)**:30V
- **最大栅源电压(V_GS)**:±20V
- **阈值电压(V_th)**:1.7V
- **导通电阻(R_DS(ON))**:
- 2.5mΩ @ V_GS = 4.5V
- 1.8mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏极电流(I_D)**:160A
- **技术**:Trench技术
- **工作温度范围**:-55°C至+150°C(具体视应用而定)

领域和模块应用:

**应用领域与模块举例:**

1. **电源管理系统**:
由于其低导通电阻和高电流承载能力,SM4502NHKP-VB 可广泛应用于各种电源管理模块,如DC-DC转换器、功率因数校正(PFC)电路等。在这些系统中,MOSFET能够提供高效的电流转换,并且在降低能量损耗方面表现出色,确保设备运行高效且稳定。

2. **电池管理与充电模块**:
在电动工具、电动汽车、电池管理系统(BMS)等领域,SM4502NHKP-VB MOSFET能够有效调节电池的充放电过程。其高导电性能使得它非常适用于需要高电流传输的场合,如快速充电器和高效的电池管理模块。

3. **汽车电子**:
这款MOSFET在汽车电子中应用广泛,尤其是用于电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统(BMS)及功率转换模块。它能够承受较高的电流和电压波动,确保在车辆高速运行或负载变化时,电池管理系统能够稳定运行,提供优质的电能管理。

4. **智能电动工具**:
在智能电动工具如电动驱动系统和电动工具的电池管理中,SM4502NHKP-VB 的高电流承载能力和低R_DS(ON)特性使其成为理想选择,能确保电动工具在高负载情况下保持高效能运行。

5. **太阳能逆变器**:
在太阳能逆变器的电源管理模块中,这款MOSFET也非常合适。它能够通过精确控制电流流向,确保逆变器能高效转换电能,并且能够承受不同负载条件下的电压和电流波动。

通过其高性能、低电阻和高电流处理能力,SM4502NHKP-VB 在这些领域中的应用能够提升系统效率,减少能量损失,增强设备的稳定性和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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