SM4387NSKP-VB - VBsemi MOS管制造商

SM4387NSKP-VB 产品详细

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产品简介：

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SM4387NSKP-VB是一款采用DFN8 (5x6mm)封装的单极N型MOSFET，专为高效电源管理和功率控制应用设计。其具有30V的漏极-源极电压（VDS），能够在±20V的栅极-源极电压（VGS）下稳定工作。该器件的RDS(ON)在4.5V栅极电压下为9mΩ，在10V栅极电压下为7mΩ，具有最大80A的漏极电流能力。SM4387NSKP-VB采用Trench技术，提供低导通电阻和卓越的开关性能，适合各种要求高效率和低功耗的应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	80A			7mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	80A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	80A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-N

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- **封装类型**：DFN8 (5x6mm)
- **配置**：单极N型
- **VDS**：30V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：1.7V
- **RDS(ON)**：9mΩ@VGS=4.5V，7mΩ@VGS=10V
- **ID**：80A
- **技术**：Trench

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领域和模块应用：

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SM4387NSKP-VB适用于多种高效电源管理应用，尤其是那些需要快速开关和高电流处理的场合。例如，它可以用于DC-DC转换器、电源模块、负载开关、逆变器和电动汽车（EV）电池管理系统。由于其低RDS(ON)值和高漏极电流能力，它是优化电力转换和减少能量损耗的理想选择。此外，该MOSFET还可用于服务器电源、LED驱动、电源保护电路及消费电子设备中的电池管理系统，提升整体系统效率并延长电池使用寿命。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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