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SIR814DP-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

SIR814DP-T1-GE3-VB 产品简介

**SIR814DP-T1-GE3-VB** 是一款高性能 **N 通道 MOSFET**,采用 **DFN8 (5x6)** 封装,专为需要大电流和低导通电阻的高效能功率应用设计。该 MOSFET 具有 **40V** 的漏源电压和 **120A** 的高电流承载能力,广泛应用于 **高效能电源转换** 和 **电池管理系统**。其 **导通电阻(RDS(ON))** 在 **VGS = 10V** 时仅为 **2mΩ**,这意味着它在导通时的能量损耗极低,有助于提升系统效率,尤其在高负载情况下具有显著优势。采用 **Trench 技术**,这款 MOSFET 还具备快速的开关特性和低温升,适用于需要高效率、低热量和大电流的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 40V 3V 120A 2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 40V 3V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 40V 3V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
SIR814DP-T1-GE3-VB 详细参数说明

- **封装类型**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单极性 N 通道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 40V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 120A
- **技术**: Trench
- **最大功耗**: 200W(参考值)
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **引脚配置**: 8 引脚,符合 DFN8 封装标准

领域和模块应用:

应用领域与模块

1. **高效能电源模块(SMPS)**
**SIR814DP-T1-GE3-VB** 由于其 **超低导通电阻** 和 **120A 的高电流承载能力**,非常适合用于 **开关电源(SMPS)**,特别是在 **DC-DC 转换器** 和 **AC-DC 电源** 中。这些应用中,MOSFET 的低导通电阻确保了能量的高效转换,最大限度地减少了功率损耗,提高了电源的整体效率。

2. **电池管理系统(BMS)**
该 MOSFET 在 **电池管理系统(BMS)** 中表现优异,能够提供高效的 **电池充放电控制**。由于其 **2mΩ 的低导通电阻** 和 **120A 的高电流承载能力**,可以在电池充电和放电过程中有效控制电流,确保高效、快速的充电和电池保护。

3. **电动汽车(EV)充电系统**
在 **电动汽车(EV)** 的 **充电系统** 中,**SIR814DP-T1-GE3-VB** 可以用于 **电池充电管理**。其 **40V 的漏源电压** 和 **超低导通电阻** 特性,使其能够处理较高电流,确保电池充电过程中热量的最小化和系统的高效运行。高效的功率转换有助于提升充电速度并延长电池寿命。

4. **无绳电动工具**
**SIR814DP-T1-GE3-VB** 也适用于 **无绳电动工具**,尤其是在 **电池管理** 和 **电动机驱动** 中。其 **低 RDS(ON)** 确保在高电流工作时产生极少的热量,从而提高工具的工作效率和电池的使用寿命。电动工具中对电流的快速响应要求非常高,这款 MOSFET 能够有效满足这一需求。

5. **消费电子与便携式设备**
在 **消费电子** 和 **便携式设备** 中,**SIR814DP-T1-GE3-VB** 可用于 **便携式电源** 和 **电池充电器**,例如 **平板电脑**、**智能手机** 和 **笔记本电脑** 的电池管理系统。低导通电阻和高电流处理能力可以确保高效的充电和放电过程,提高设备的续航能力并降低电池发热。

6. **太阳能逆变器**
该 MOSFET 的 **高电流承载能力** 和 **低导通电阻** 使其在 **太阳能逆变器** 中发挥着重要作用,特别是在 **直流-交流转换** 时。通过降低转换过程中的功率损耗,SIR814DP-T1-GE3-VB 能够提升 **太阳能发电系统** 的整体效率,并帮助降低系统的能量损耗。

7. **高功率 LED 驱动**
**SIR814DP-T1-GE3-VB** 可用于 **LED 驱动电源**,特别是用于高功率的 **LED 照明系统**。由于其高电流处理能力和低导通电阻,能够高效地驱动多个串联的 LED 模块,同时确保系统的长寿命和稳定性。

8. **工业自动化与电动机驱动**
该 MOSFET 还可广泛应用于 **工业自动化** 中的 **电动机驱动系统**,尤其是需要高效和快速响应的系统,如 **伺服电机控制**、**步进电机驱动** 等。MOSFET 的低 RDS(ON) 确保电机驱动时的高效能和最小的热量产生。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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