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SIHP17N60D-E3-VB 产品详细

产品简介:

SIHP17N60D-E3-VB MOSFET 详尽产品简介

**产品名称**:SIHP17N60D-E3-VB
**封装类型**:TO220
**配置**:单极型N沟道
**技术类型**:Plannar技术
**最大漏源电压(VDS)**:600V
**最大栅源电压(VGS)**:±30V
**阈值电压(Vth)**:3.5V
**导通电阻(RDS(ON))**:780mΩ @ VGS = 10V
**最大漏极电流(ID)**:8A

**产品概述**:
SIHP17N60D-E3-VB 是一款高压N沟道MOSFET,采用TO220封装,专为高电压、高功率应用而设计。具有600V的最大漏源电压和8A的最大漏极电流,非常适合用于电力电子领域,尤其是电源转换、电机控制和逆变器等高电压、大功率的应用。该MOSFET采用Plannar技术,具有较低的导通电阻(780mΩ @ VGS = 10V),这使其在高电流负载下表现出色,减少了能量损失并提高了系统效率。此外,SIHP17N60D-E3-VB 还具有较高的栅极电压容忍度(±30V),能够稳定工作在较为严苛的电气环境中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
SIHP17N60D-E3-VB MOSFET 详细参数说明

- **VDS(最大漏源电压)**:600V
SIHP17N60D-E3-VB 的最大漏源电压为600V,适用于中到高压的电源控制应用,能够满足常见电力电子设备和功率转换系统的需求,特别适合用于需要承受高电压压力的设备。

- **VGS(最大栅源电压)**:±30V
支持±30V的栅源电压,使得该MOSFET能够与各种标准驱动电路兼容,并在较大电压波动的环境下仍保持稳定工作。

- **Vth(阈值电压)**:3.5V
该MOSFET的阈值电压为3.5V,意味着在栅源电压达到3.5V时,MOSFET开始导通,适合用于多种驱动电路并能提供较快的响应速度。

- **RDS(ON)(导通电阻)**:780mΩ @ VGS = 10V
在VGS = 10V时,SIHP17N60D-E3-VB 的导通电阻为780mΩ。较低的导通电阻有助于减少能量损耗和发热,尤其在高功率和高电流应用中,其低RDS(ON)可有效提高效率。

- **ID(最大漏极电流)**:8A
最大漏极电流为8A,能够支持较高的电流负载,适用于需要高电流支持的应用,尤其在中等功率电源系统和电机驱动中表现出色。

领域和模块应用:

SIHP17N60D-E3-VB MOSFET 应用示例

1. **电源转换系统**:
SIHP17N60D-E3-VB 是高压电源转换系统中的理想选择。其600V的最大漏源电压使其能够在高电压DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等设备中稳定运行。它的低导通电阻和较高的电流能力确保了系统能够高效地进行电压转换和电流调节,减少能量损失并提高整体效率。

2. **逆变器和变频器**:
在太阳能逆变器、风力发电逆变器、电动机驱动的变频器等应用中,SIHP17N60D-E3-VB 提供了高效的开关性能。其600V的耐压能力适应这些系统中常见的高电压波动,而较低的RDS(ON)可减少开关过程中的功率损失和热量产生,适合需要频繁切换的电力转换系统。

3. **电机驱动系统**:
电动机驱动系统中,尤其是大型电动工具、家电、汽车电动机驱动中,SIHP17N60D-E3-VB 的低导通电阻和高电流能力使其成为理想的开关元件。它能够高效地控制电机的启动、停止及运行过程,并减少热量和功率损失,从而提高系统的稳定性和效率。

4. **高功率开关电源(SMPS)**:
SIHP17N60D-E3-VB 可广泛应用于高功率开关电源中,如不间断电源(UPS)、电源适配器、工业电源模块等。它的600V耐压、低导通电阻和较高的漏极电流承载能力使其能够在高压、大功率负载下高效运行,特别是在需要高电流、高效率的环境中。

5. **电池管理系统(BMS)**:
在电池管理系统中,SIHP17N60D-E3-VB 能够作为开关元件高效管理电池的充放电过程。它能够承受高电压负载,控制电池组中的电流流向和充电电流,并提供稳定的电流输出,适用于电动汽车、电池储能系统等领域。

6. **高频率开关应用**:
SIHP17N60D-E3-VB 的低导通电阻使其特别适用于高频率开关应用,如信号调制、电源调节等。这些应用通常要求MOSFET在短时间内高效导通和截止,而该型号MOSFET的开关性能能够满足这类高频率、快速响应的需求。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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