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SiHP16N50C-E3-VB 产品详细

产品简介:

SiHP16N50C-E3-VB MOSFET 产品简介

SiHP16N50C-E3-VB 是一款高电压、高电流承载能力的单极N型MOSFET,采用TO-220封装,专为需要高电压(最高650V)和较大电流(15A)操作的应用而设计。其具有较高的栅源电压容限(VGS最大为±30V),适用于在高压系统中控制电流的场合。MOSFET的栅极阈值电压(Vth)为3.5V,使得它能够在较低栅电压下有效启动,优化了开关性能。SiHP16N50C-E3-VB的导通电阻(RDS(ON))为220mΩ@VGS=10V,虽然相比于低压MOSFET较高,但在650V的高电压环境下仍然保持了良好的性能表现。其采用SJ_Multi-EPI技术,能够有效提高开关速度和降低开关损耗,适用于高频开关和高功率系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A 220mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
SiHP16N50C-E3-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**:TO-220
- **配置**:单极N型通道(Single-N-Channel)
- **漏极-源极电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 220mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:15A
- **技术类型**:SJ_Multi-EPI 技术
- **工作温度范围**:通常为-55°C到+150°C(具体根据产品手册确定)

领域和模块应用:

SiHP16N50C-E3-VB MOSFET 典型应用领域与模块

1. **高电压电源供应系统**
SiHP16N50C-E3-VB MOSFET适用于高电压电源供应系统,如AC-DC电源转换器、电力供应单元(PSU)等。这款MOSFET能够在650V的高电压下稳定工作,适合用于电压较高的电源设计,并且具有较高的电流承载能力(最大15A)。在电力电子系统中,SiHP16N50C-E3-VB能作为开关元件,用于电压转换、电压调节等功能,确保高效的电源管理。

2. **电动机控制系统**
在电动机控制应用中,SiHP16N50C-E3-VB能够提供高电压、高电流支持,适用于各种电动机驱动模块,如工业电机、家电电机以及电动工具控制系统。MOSFET的优异开关特性和高电压耐受能力使其成为中高功率电动机驱动系统中的理想选择,能够提高系统效率并减少电磁干扰。

3. **逆变器系统**
SiHP16N50C-E3-VB在逆变器系统中也有广泛应用,特别是在太阳能逆变器、风能逆变器及电动汽车逆变器中。在这些应用中,MOSFET需要承受高电压和大电流的工作条件。该MOSFET的650V最大漏极-源极电压和高电流承载能力使其非常适合用于太阳能发电系统的直流-交流(DC-AC)转换器中。其高效开关性能有助于提升逆变器系统的效率,减少能量损耗。

4. **电力转换和工业控制**
在工业电力转换系统中,SiHP16N50C-E3-VB作为高效开关元件,常用于变频器、电力调节器等设备的电流控制。高电压、高电流的特性使其能够在变频电机驱动、加热系统等高功率应用中广泛应用。此外,SiHP16N50C-E3-VB可以用于电力分配和智能电网的功率调节中,帮助提高系统的稳定性与效率。

5. **家电与高功率开关应用**
在家电产品(如空调、电热水器、冰箱等)中,SiHP16N50C-E3-VB MOSFET可以用于功率转换、温控电路及电机控制等。它的高电压能力和良好的开关特性使其能够在这些高功率应用中稳定工作,保证设备的高效能和长寿命。

6. **汽车电子系统**
在汽车电子系统中,SiHP16N50C-E3-VB适用于电动汽车驱动系统、电池管理系统、充电器等多个模块。在高电压和大电流的环境下,MOSFET的高耐压能力确保其在电动汽车的高功率和高电流应用中稳定运行,尤其在电池充放电控制、电机驱动等关键环节中。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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